Diode/Bridge Rectifier

Nambari ya Sehemu
DIOTEC (Diotec)
Watengenezaji
Maelezo
74336 PCS
Katika Hisa
Nambari ya Sehemu
GeneSiC Semiconductor
Watengenezaji
Maelezo
66668 PCS
Katika Hisa
Nambari ya Sehemu
Infineon (Infineon)
Watengenezaji
Maelezo
57913 PCS
Katika Hisa
Nambari ya Sehemu
Comchip
Watengenezaji
Maelezo
64825 PCS
Katika Hisa
Nambari ya Sehemu
DIOTEC (Diotec)
Watengenezaji
Maelezo
97487 PCS
Katika Hisa
Nambari ya Sehemu
Infineon (Infineon)
Watengenezaji
Maelezo
98717 PCS
Katika Hisa
Nambari ya Sehemu
MACOM
Watengenezaji
Maelezo
77781 PCS
Katika Hisa
Nambari ya Sehemu
MACOM
Watengenezaji
Maelezo
76733 PCS
Katika Hisa
Nambari ya Sehemu
MICROCHIP (US Microchip)
Watengenezaji
Maelezo
58721 PCS
Katika Hisa
Nambari ya Sehemu
MICROCHIP (US Microchip)
Watengenezaji
Maelezo
78503 PCS
Katika Hisa
Nambari ya Sehemu
Nexperia
Watengenezaji
Maelezo
95634 PCS
Katika Hisa
Nambari ya Sehemu
onsemi (Ansemi)
Watengenezaji
Maelezo
81318 PCS
Katika Hisa
Nambari ya Sehemu
onsemi (Ansemi)
Watengenezaji
Maelezo
63898 PCS
Katika Hisa
Nambari ya Sehemu
onsemi (Ansemi)
Watengenezaji
The Schottky diode uses the Schottky diode barrier principle and uses a metal-silicon Power rectifier. It has an epitaxial structure with oxide passivation and metal-covered contacts. This is suitable for low-voltage high-frequency switching power supply, freewheeling diode and polarity protection diode.
Maelezo
62683 PCS
Katika Hisa
Nambari ya Sehemu
SURGE
Watengenezaji
Maelezo
76086 PCS
Katika Hisa
Nambari ya Sehemu
Taiwan Semiconductor
Watengenezaji
Maelezo
82786 PCS
Katika Hisa
Nambari ya Sehemu
VISHAY (Vishay)
Watengenezaji
Maelezo
51956 PCS
Katika Hisa
Nambari ya Sehemu
VISHAY (Vishay)
Watengenezaji
Maelezo
77247 PCS
Katika Hisa
Nambari ya Sehemu
VISHAY (Vishay)
Watengenezaji
Maelezo
98697 PCS
Katika Hisa
Nambari ya Sehemu
IXYS
Watengenezaji
Maelezo
83028 PCS
Katika Hisa