IPL60R105P7AUMA1
MOSFET N-CH 4VSON
Nambari ya Sehemu
IPL60R105P7AUMA1
Mtengenezaji/Chapa
Mfululizo
CoolMOS™ P7
Hali ya Sehemu
Active
Ufungaji
Tape & Reel (TR)
Teknolojia
MOSFET (Metal Oxide)
Joto la Uendeshaji
-40°C ~ 150°C (TJ)
Aina ya Kuweka
Surface Mount
Kifurushi / Kesi
4-PowerTSFN
Kifurushi cha Kifaa cha Wasambazaji
PG-VSON-4
Upotezaji wa Nguvu (Upeo)
137W (Tc)
Aina ya FET
N-Channel
Kipengele cha FET
-
Mimina hadi Chanzo Voltage (Vdss)
650V
Ya Sasa - Mifereji ya Kuendelea (Id) @ 25�C
33A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs
105 mOhm @ 10.5A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Kitambulisho
4V @ 530µA
Malipo ya Lango (Qg) (Max) @ Vgs
45nC @ 10V
Uwezo wa Kuingiza (Ciss) (Upeo zaidi) @ Vds
1952pF @ 400V
Voltage ya Kuendesha (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Vgs (Upeo)
±20V
Omba Nukuu
Tafadhali kamilisha sehemu zote zinazohitajika na ubofye "Wasilisha", tutawasiliana nawe baada ya saa 12 kupitia barua pepe. Ikiwa una tatizo lolote, tafadhali acha ujumbe au barua pepe kwa [email protected], tutajibu haraka iwezekanavyo.
Katika Hisa 39162 PCS
Maelezo ya Mawasiliano
Bidhaa Zinazohusiana
Maneno muhimu ya IPL60R105P7AUMA1
IPL60R105P7AUMA1 Vipengele vya elektroniki
IPL60R105P7AUMA1 Mauzo
IPL60R105P7AUMA1 Msambazaji
IPL60R105P7AUMA1 Msambazaji
IPL60R105P7AUMA1 Jedwali la data
IPL60R105P7AUMA1 Picha
IPL60R105P7AUMA1 Bei
IPL60R105P7AUMA1 Toa
IPL60R105P7AUMA1 Bei ya chini
IPL60R105P7AUMA1 Tafuta
IPL60R105P7AUMA1 Ununuzi
IPL60R105P7AUMA1 Chip