IRF7341PBF
MOSFET 2N-CH 55V 4.7A 8-SOIC
Nambari ya Sehemu
IRF7341PBF
Mtengenezaji/Chapa
Mfululizo
HEXFET®
Hali ya Sehemu
Not For New Designs
Ufungaji
Tube
Joto la Uendeshaji
-55°C ~ 150°C (TJ)
Aina ya Kuweka
Surface Mount
Kifurushi / Kesi
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Nguvu - Max
2W
Kifurushi cha Kifaa cha Wasambazaji
8-SO
Aina ya FET
2 N-Channel (Dual)
Kipengele cha FET
Logic Level Gate
Mimina hadi Chanzo Voltage (Vdss)
55V
Ya Sasa - Mifereji ya Kuendelea (Id) @ 25�C
4.7A
Rds On (Max) @ Id, Vgs
50 mOhm @ 4.7A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Kitambulisho
1V @ 250µA
Malipo ya Lango (Qg) (Max) @ Vgs
36nC @ 10V
Uwezo wa Kuingiza (Ciss) (Upeo zaidi) @ Vds
740pF @ 25V
Omba Nukuu
Tafadhali kamilisha sehemu zote zinazohitajika na ubofye "Wasilisha", tutawasiliana nawe baada ya saa 12 kupitia barua pepe. Ikiwa una tatizo lolote, tafadhali acha ujumbe au barua pepe kwa [email protected], tutajibu haraka iwezekanavyo.
Katika Hisa 43370 PCS
Maelezo ya Mawasiliano
Bidhaa Zinazohusiana
Maneno muhimu ya IRF7341PBF
IRF7341PBF Vipengele vya elektroniki
IRF7341PBF Mauzo
IRF7341PBF Msambazaji
IRF7341PBF Msambazaji
IRF7341PBF Jedwali la data
IRF7341PBF Picha
IRF7341PBF Bei
IRF7341PBF Toa
IRF7341PBF Bei ya chini
IRF7341PBF Tafuta
IRF7341PBF Ununuzi
IRF7341PBF Chip