IRFSL4310PBF
MOSFET N-CH 100V 130A TO-262
Nambari ya Sehemu
IRFSL4310PBF
Mtengenezaji/Chapa
Mfululizo
HEXFET®
Hali ya Sehemu
Obsolete
Ufungaji
Tube
Teknolojia
MOSFET (Metal Oxide)
Joto la Uendeshaji
-55°C ~ 175°C (TJ)
Aina ya Kuweka
Through Hole
Kifurushi / Kesi
TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA
Kifurushi cha Kifaa cha Wasambazaji
TO-262
Upotezaji wa Nguvu (Upeo)
300W (Tc)
Aina ya FET
N-Channel
Kipengele cha FET
-
Mimina hadi Chanzo Voltage (Vdss)
100V
Ya Sasa - Mifereji ya Kuendelea (Id) @ 25�C
130A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs
7 mOhm @ 75A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Kitambulisho
4V @ 250µA
Malipo ya Lango (Qg) (Max) @ Vgs
250nC @ 10V
Uwezo wa Kuingiza (Ciss) (Upeo zaidi) @ Vds
7670pF @ 50V
Voltage ya Kuendesha (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Vgs (Upeo)
±20V
Omba Nukuu
Tafadhali kamilisha sehemu zote zinazohitajika na ubofye "Wasilisha", tutawasiliana nawe baada ya saa 12 kupitia barua pepe. Ikiwa una tatizo lolote, tafadhali acha ujumbe au barua pepe kwa [email protected], tutajibu haraka iwezekanavyo.
Katika Hisa 41345 PCS
Maelezo ya Mawasiliano
Bidhaa Zinazohusiana
Maneno muhimu ya IRFSL4310PBF
IRFSL4310PBF Vipengele vya elektroniki
IRFSL4310PBF Mauzo
IRFSL4310PBF Msambazaji
IRFSL4310PBF Msambazaji
IRFSL4310PBF Jedwali la data
IRFSL4310PBF Picha
IRFSL4310PBF Bei
IRFSL4310PBF Toa
IRFSL4310PBF Bei ya chini
IRFSL4310PBF Tafuta
IRFSL4310PBF Ununuzi
IRFSL4310PBF Chip