IXFH17N80Q
MOSFET N-CH 800V 17A TO-247
Nambari ya Sehemu
IXFH17N80Q
Mtengenezaji/Chapa
Mfululizo
HiPerFET™
Hali ya Sehemu
Active
Ufungaji
Tube
Teknolojia
MOSFET (Metal Oxide)
Joto la Uendeshaji
-55°C ~ 150°C (TJ)
Aina ya Kuweka
Through Hole
Kifurushi / Kesi
TO-247-3
Kifurushi cha Kifaa cha Wasambazaji
TO-247AD (IXFH)
Upotezaji wa Nguvu (Upeo)
400W (Tc)
Aina ya FET
N-Channel
Kipengele cha FET
-
Mimina hadi Chanzo Voltage (Vdss)
800V
Ya Sasa - Mifereji ya Kuendelea (Id) @ 25�C
17A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs
600 mOhm @ 500mA, 10V
Vgs(th) (Max) @ Kitambulisho
4.5V @ 4mA
Malipo ya Lango (Qg) (Max) @ Vgs
95nC @ 10V
Uwezo wa Kuingiza (Ciss) (Upeo zaidi) @ Vds
3600pF @ 25V
Voltage ya Kuendesha (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Vgs (Upeo)
±20V
Omba Nukuu
Tafadhali kamilisha sehemu zote zinazohitajika na ubofye "Wasilisha", tutawasiliana nawe baada ya saa 12 kupitia barua pepe. Ikiwa una tatizo lolote, tafadhali acha ujumbe au barua pepe kwa [email protected], tutajibu haraka iwezekanavyo.
Katika Hisa 17089 PCS
Maelezo ya Mawasiliano
Bidhaa Zinazohusiana
Maneno muhimu ya IXFH17N80Q
IXFH17N80Q Vipengele vya elektroniki
IXFH17N80Q Mauzo
IXFH17N80Q Msambazaji
IXFH17N80Q Msambazaji
IXFH17N80Q Jedwali la data
IXFH17N80Q Picha
IXFH17N80Q Bei
IXFH17N80Q Toa
IXFH17N80Q Bei ya chini
IXFH17N80Q Tafuta
IXFH17N80Q Ununuzi
IXFH17N80Q Chip