IXFH23N80Q
MOSFET N-CH 800V 23A TO-247
Nambari ya Sehemu
IXFH23N80Q
Mtengenezaji/Chapa
Mfululizo
HiPerFET™
Hali ya Sehemu
Active
Ufungaji
Tube
Teknolojia
MOSFET (Metal Oxide)
Joto la Uendeshaji
-55°C ~ 150°C (TJ)
Aina ya Kuweka
Through Hole
Kifurushi / Kesi
TO-247-3
Kifurushi cha Kifaa cha Wasambazaji
TO-247AD (IXFH)
Upotezaji wa Nguvu (Upeo)
500W (Tc)
Aina ya FET
N-Channel
Kipengele cha FET
-
Mimina hadi Chanzo Voltage (Vdss)
800V
Ya Sasa - Mifereji ya Kuendelea (Id) @ 25�C
23A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs
420 mOhm @ 500mA, 10V
Vgs(th) (Max) @ Kitambulisho
4.5V @ 3mA
Malipo ya Lango (Qg) (Max) @ Vgs
130nC @ 10V
Uwezo wa Kuingiza (Ciss) (Upeo zaidi) @ Vds
4900pF @ 25V
Voltage ya Kuendesha (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Vgs (Upeo)
±30V
Omba Nukuu
Tafadhali kamilisha sehemu zote zinazohitajika na ubofye "Wasilisha", tutawasiliana nawe baada ya saa 12 kupitia barua pepe. Ikiwa una tatizo lolote, tafadhali acha ujumbe au barua pepe kwa [email protected], tutajibu haraka iwezekanavyo.
Katika Hisa 31572 PCS
Maelezo ya Mawasiliano
Bidhaa Zinazohusiana
Maneno muhimu ya IXFH23N80Q
IXFH23N80Q Vipengele vya elektroniki
IXFH23N80Q Mauzo
IXFH23N80Q Msambazaji
IXFH23N80Q Msambazaji
IXFH23N80Q Jedwali la data
IXFH23N80Q Picha
IXFH23N80Q Bei
IXFH23N80Q Toa
IXFH23N80Q Bei ya chini
IXFH23N80Q Tafuta
IXFH23N80Q Ununuzi
IXFH23N80Q Chip