IXFM35N30
POWER MOSFET TO-3
Nambari ya Sehemu
IXFM35N30
Mtengenezaji/Chapa
Mfululizo
HiPerFET™
Hali ya Sehemu
Last Time Buy
Ufungaji
-
Teknolojia
MOSFET (Metal Oxide)
Joto la Uendeshaji
-55°C ~ 150°C (TJ)
Aina ya Kuweka
Through Hole
Kifurushi / Kesi
TO-204AE
Kifurushi cha Kifaa cha Wasambazaji
TO-204AE
Upotezaji wa Nguvu (Upeo)
300W (Tc)
Aina ya FET
N-Channel
Kipengele cha FET
-
Mimina hadi Chanzo Voltage (Vdss)
300V
Ya Sasa - Mifereji ya Kuendelea (Id) @ 25�C
35A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs
100 mOhm @ 17.5A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Kitambulisho
4V @ 4mA
Malipo ya Lango (Qg) (Max) @ Vgs
200nC @ 10V
Uwezo wa Kuingiza (Ciss) (Upeo zaidi) @ Vds
4800pF @ 25V
Voltage ya Kuendesha (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Vgs (Upeo)
±20V
Omba Nukuu
Tafadhali kamilisha sehemu zote zinazohitajika na ubofye "Wasilisha", tutawasiliana nawe baada ya saa 12 kupitia barua pepe. Ikiwa una tatizo lolote, tafadhali acha ujumbe au barua pepe kwa [email protected], tutajibu haraka iwezekanavyo.
Katika Hisa 54116 PCS
Maelezo ya Mawasiliano
Bidhaa Zinazohusiana
Maneno muhimu ya IXFM35N30
IXFM35N30 Vipengele vya elektroniki
IXFM35N30 Mauzo
IXFM35N30 Msambazaji
IXFM35N30 Msambazaji
IXFM35N30 Jedwali la data
IXFM35N30 Picha
IXFM35N30 Bei
IXFM35N30 Toa
IXFM35N30 Bei ya chini
IXFM35N30 Tafuta
IXFM35N30 Ununuzi
IXFM35N30 Chip