Nunua IXYS IXFN26N100P MOSFET N-CH 1000V 23A SOT-227B

Picha inaweza kuwa uwakilishi.
Angalia vipimo kwa maelezo ya bidhaa.

Tazama Maelezo Zaidi DataSheets

IXFN26N100P

MOSFET N-CH 1000V 23A SOT-227B

Nambari ya Sehemu

IXFN26N100P

Mtengenezaji/Chapa

IXYS

Mfululizo

Polar™

Hali ya Sehemu

Active

Ufungaji

Tube

Teknolojia

MOSFET (Metal Oxide)

Joto la Uendeshaji

-55°C ~ 150°C (TJ)

Aina ya Kuweka

Chassis Mount

Kifurushi / Kesi

SOT-227-4, miniBLOC

Kifurushi cha Kifaa cha Wasambazaji

SOT-227B

Upotezaji wa Nguvu (Upeo)

595W (Tc)

Aina ya FET

N-Channel

Kipengele cha FET

Mimina hadi Chanzo Voltage (Vdss)

1000V

Ya Sasa - Mifereji ya Kuendelea (Id) @ 25�C

23A (Tc)

Rds On (Max) @ Id, Vgs

390 mOhm @ 13A, 10V

Vgs(th) (Max) @ Kitambulisho

6.5V @ 1mA

Malipo ya Lango (Qg) (Max) @ Vgs

197nC @ 10V

Uwezo wa Kuingiza (Ciss) (Upeo zaidi) @ Vds

11900pF @ 25V

Voltage ya Kuendesha (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Vgs (Upeo)

±30V

Omba Nukuu

Tafadhali kamilisha sehemu zote zinazohitajika na ubofye "Wasilisha", tutawasiliana nawe baada ya saa 12 kupitia barua pepe. Ikiwa una tatizo lolote, tafadhali acha ujumbe au barua pepe kwa [email protected], tutajibu haraka iwezekanavyo.

Katika Hisa 5674 PCS

Maelezo ya Mawasiliano

Bidhaa Zinazohusiana

IXFN100N10S1