IXFP4N100Q
MOSFET N-CH 1000V 4A TO-220
Nambari ya Sehemu
IXFP4N100Q
Mtengenezaji/Chapa
Mfululizo
HiPerFET™
Hali ya Sehemu
Active
Ufungaji
Tube
Teknolojia
MOSFET (Metal Oxide)
Joto la Uendeshaji
-55°C ~ 150°C (TJ)
Aina ya Kuweka
Through Hole
Kifurushi / Kesi
TO-220-3
Kifurushi cha Kifaa cha Wasambazaji
TO-220AB
Upotezaji wa Nguvu (Upeo)
150W (Tc)
Aina ya FET
N-Channel
Kipengele cha FET
-
Mimina hadi Chanzo Voltage (Vdss)
1000V
Ya Sasa - Mifereji ya Kuendelea (Id) @ 25�C
4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs
3 Ohm @ 2A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Kitambulisho
5V @ 1.5mA
Malipo ya Lango (Qg) (Max) @ Vgs
39nC @ 10V
Uwezo wa Kuingiza (Ciss) (Upeo zaidi) @ Vds
1050pF @ 25V
Voltage ya Kuendesha (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Vgs (Upeo)
±20V
Omba Nukuu
Tafadhali kamilisha sehemu zote zinazohitajika na ubofye "Wasilisha", tutawasiliana nawe baada ya saa 12 kupitia barua pepe. Ikiwa una tatizo lolote, tafadhali acha ujumbe au barua pepe kwa [email protected], tutajibu haraka iwezekanavyo.
Katika Hisa 11541 PCS
Maelezo ya Mawasiliano
Bidhaa Zinazohusiana
Maneno muhimu ya IXFP4N100Q
IXFP4N100Q Vipengele vya elektroniki
IXFP4N100Q Mauzo
IXFP4N100Q Msambazaji
IXFP4N100Q Msambazaji
IXFP4N100Q Jedwali la data
IXFP4N100Q Picha
IXFP4N100Q Bei
IXFP4N100Q Toa
IXFP4N100Q Bei ya chini
IXFP4N100Q Tafuta
IXFP4N100Q Ununuzi
IXFP4N100Q Chip