IXFQ60N60X
MOSFET N-CH 600V 60A TO3P
Nambari ya Sehemu
IXFQ60N60X
Mtengenezaji/Chapa
Mfululizo
HiPerFET™
Hali ya Sehemu
Active
Ufungaji
Tube
Teknolojia
MOSFET (Metal Oxide)
Joto la Uendeshaji
-55°C ~ 150°C (TJ)
Aina ya Kuweka
Through Hole
Kifurushi / Kesi
TO-3P-3, SC-65-3
Kifurushi cha Kifaa cha Wasambazaji
TO-3P
Upotezaji wa Nguvu (Upeo)
890W (Tc)
Aina ya FET
N-Channel
Kipengele cha FET
-
Mimina hadi Chanzo Voltage (Vdss)
600V
Ya Sasa - Mifereji ya Kuendelea (Id) @ 25�C
60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs
55 mOhm @ 30A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Kitambulisho
4.5V @ 8mA
Malipo ya Lango (Qg) (Max) @ Vgs
143nC @ 10V
Uwezo wa Kuingiza (Ciss) (Upeo zaidi) @ Vds
5800pF @ 25V
Voltage ya Kuendesha (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Vgs (Upeo)
±30V
Omba Nukuu
Tafadhali kamilisha sehemu zote zinazohitajika na ubofye "Wasilisha", tutawasiliana nawe baada ya saa 12 kupitia barua pepe. Ikiwa una tatizo lolote, tafadhali acha ujumbe au barua pepe kwa [email protected], tutajibu haraka iwezekanavyo.
Katika Hisa 21508 PCS
Maelezo ya Mawasiliano
Bidhaa Zinazohusiana
Maneno muhimu ya IXFQ60N60X
IXFQ60N60X Vipengele vya elektroniki
IXFQ60N60X Mauzo
IXFQ60N60X Msambazaji
IXFQ60N60X Msambazaji
IXFQ60N60X Jedwali la data
IXFQ60N60X Picha
IXFQ60N60X Bei
IXFQ60N60X Toa
IXFQ60N60X Bei ya chini
IXFQ60N60X Tafuta
IXFQ60N60X Ununuzi
IXFQ60N60X Chip