IXFT26N60Q
MOSFET N-CH 600V 26A TO-268
Nambari ya Sehemu
IXFT26N60Q
Mtengenezaji/Chapa
Mfululizo
HiPerFET™
Hali ya Sehemu
Last Time Buy
Ufungaji
Tube
Teknolojia
MOSFET (Metal Oxide)
Joto la Uendeshaji
-55°C ~ 150°C (TJ)
Aina ya Kuweka
Surface Mount
Kifurushi / Kesi
TO-268-3, D³Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA
Kifurushi cha Kifaa cha Wasambazaji
TO-268
Upotezaji wa Nguvu (Upeo)
360W (Tc)
Aina ya FET
N-Channel
Kipengele cha FET
-
Mimina hadi Chanzo Voltage (Vdss)
600V
Ya Sasa - Mifereji ya Kuendelea (Id) @ 25�C
26A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs
250 mOhm @ 13A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Kitambulisho
4.5V @ 4mA
Malipo ya Lango (Qg) (Max) @ Vgs
200nC @ 10V
Uwezo wa Kuingiza (Ciss) (Upeo zaidi) @ Vds
5100pF @ 25V
Voltage ya Kuendesha (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Vgs (Upeo)
±20V
Omba Nukuu
Tafadhali kamilisha sehemu zote zinazohitajika na ubofye "Wasilisha", tutawasiliana nawe baada ya saa 12 kupitia barua pepe. Ikiwa una tatizo lolote, tafadhali acha ujumbe au barua pepe kwa [email protected], tutajibu haraka iwezekanavyo.
Katika Hisa 42693 PCS
Maelezo ya Mawasiliano
Bidhaa Zinazohusiana
Maneno muhimu ya IXFT26N60Q
IXFT26N60Q Vipengele vya elektroniki
IXFT26N60Q Mauzo
IXFT26N60Q Msambazaji
IXFT26N60Q Msambazaji
IXFT26N60Q Jedwali la data
IXFT26N60Q Picha
IXFT26N60Q Bei
IXFT26N60Q Toa
IXFT26N60Q Bei ya chini
IXFT26N60Q Tafuta
IXFT26N60Q Ununuzi
IXFT26N60Q Chip