IXFT50N50P3
MOSFET N-CH 500V 50A TO-268
Nambari ya Sehemu
IXFT50N50P3
Mtengenezaji/Chapa
Mfululizo
HiPerFET™, Polar3™
Hali ya Sehemu
Active
Ufungaji
Tube
Teknolojia
MOSFET (Metal Oxide)
Joto la Uendeshaji
-55°C ~ 150°C (TJ)
Aina ya Kuweka
Surface Mount
Kifurushi / Kesi
TO-268-3, D³Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA
Kifurushi cha Kifaa cha Wasambazaji
TO-268
Upotezaji wa Nguvu (Upeo)
960W (Tc)
Aina ya FET
N-Channel
Kipengele cha FET
-
Mimina hadi Chanzo Voltage (Vdss)
500V
Ya Sasa - Mifereji ya Kuendelea (Id) @ 25�C
50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs
120 mOhm @ 25A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Kitambulisho
5V @ 4mA
Malipo ya Lango (Qg) (Max) @ Vgs
-
Uwezo wa Kuingiza (Ciss) (Upeo zaidi) @ Vds
4335pF @ 25V
Voltage ya Kuendesha (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Vgs (Upeo)
±30V
Omba Nukuu
Tafadhali kamilisha sehemu zote zinazohitajika na ubofye "Wasilisha", tutawasiliana nawe baada ya saa 12 kupitia barua pepe. Ikiwa una tatizo lolote, tafadhali acha ujumbe au barua pepe kwa [email protected], tutajibu haraka iwezekanavyo.
Katika Hisa 34395 PCS
Maelezo ya Mawasiliano
Bidhaa Zinazohusiana
Maneno muhimu ya IXFT50N50P3
IXFT50N50P3 Vipengele vya elektroniki
IXFT50N50P3 Mauzo
IXFT50N50P3 Msambazaji
IXFT50N50P3 Msambazaji
IXFT50N50P3 Jedwali la data
IXFT50N50P3 Picha
IXFT50N50P3 Bei
IXFT50N50P3 Toa
IXFT50N50P3 Bei ya chini
IXFT50N50P3 Tafuta
IXFT50N50P3 Ununuzi
IXFT50N50P3 Chip