IXFT88N30P
MOSFET N-CH 300V 88A TO268
Nambari ya Sehemu
IXFT88N30P
Mtengenezaji/Chapa
Mfululizo
HiPerFET™, PolarP2™
Hali ya Sehemu
Active
Ufungaji
Tube
Teknolojia
MOSFET (Metal Oxide)
Joto la Uendeshaji
-55°C ~ 150°C (TJ)
Aina ya Kuweka
Surface Mount
Kifurushi / Kesi
TO-268-3, D³Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA
Kifurushi cha Kifaa cha Wasambazaji
TO-268
Upotezaji wa Nguvu (Upeo)
600W (Tc)
Aina ya FET
N-Channel
Kipengele cha FET
-
Mimina hadi Chanzo Voltage (Vdss)
300V
Ya Sasa - Mifereji ya Kuendelea (Id) @ 25�C
88A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs
40 mOhm @ 44A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Kitambulisho
5V @ 4mA
Malipo ya Lango (Qg) (Max) @ Vgs
180nC @ 10V
Uwezo wa Kuingiza (Ciss) (Upeo zaidi) @ Vds
6300pF @ 25V
Voltage ya Kuendesha (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Vgs (Upeo)
±20V
Omba Nukuu
Tafadhali kamilisha sehemu zote zinazohitajika na ubofye "Wasilisha", tutawasiliana nawe baada ya saa 12 kupitia barua pepe. Ikiwa una tatizo lolote, tafadhali acha ujumbe au barua pepe kwa [email protected], tutajibu haraka iwezekanavyo.
Katika Hisa 8984 PCS
Maelezo ya Mawasiliano
Bidhaa Zinazohusiana
Maneno muhimu ya IXFT88N30P
IXFT88N30P Vipengele vya elektroniki
IXFT88N30P Mauzo
IXFT88N30P Msambazaji
IXFT88N30P Msambazaji
IXFT88N30P Jedwali la data
IXFT88N30P Picha
IXFT88N30P Bei
IXFT88N30P Toa
IXFT88N30P Bei ya chini
IXFT88N30P Tafuta
IXFT88N30P Ununuzi
IXFT88N30P Chip