IXFX200N10P
MOSFET N-CH 100V 200A PLUS247
Nambari ya Sehemu
IXFX200N10P
Mtengenezaji/Chapa
Mfululizo
HiPerFET™, PolarP2™
Hali ya Sehemu
Active
Ufungaji
Tube
Teknolojia
MOSFET (Metal Oxide)
Joto la Uendeshaji
-55°C ~ 175°C (TJ)
Aina ya Kuweka
Through Hole
Kifurushi / Kesi
TO-247-3
Kifurushi cha Kifaa cha Wasambazaji
PLUS247™-3
Upotezaji wa Nguvu (Upeo)
830W (Tc)
Aina ya FET
N-Channel
Kipengele cha FET
-
Mimina hadi Chanzo Voltage (Vdss)
100V
Ya Sasa - Mifereji ya Kuendelea (Id) @ 25�C
200A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs
7.5 mOhm @ 100A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Kitambulisho
5V @ 8mA
Malipo ya Lango (Qg) (Max) @ Vgs
235nC @ 10V
Uwezo wa Kuingiza (Ciss) (Upeo zaidi) @ Vds
7600pF @ 25V
Voltage ya Kuendesha (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Vgs (Upeo)
±20V
Omba Nukuu
Tafadhali kamilisha sehemu zote zinazohitajika na ubofye "Wasilisha", tutawasiliana nawe baada ya saa 12 kupitia barua pepe. Ikiwa una tatizo lolote, tafadhali acha ujumbe au barua pepe kwa [email protected], tutajibu haraka iwezekanavyo.
Katika Hisa 42706 PCS
Maelezo ya Mawasiliano
Bidhaa Zinazohusiana
Maneno muhimu ya IXFX200N10P
IXFX200N10P Vipengele vya elektroniki
IXFX200N10P Mauzo
IXFX200N10P Msambazaji
IXFX200N10P Msambazaji
IXFX200N10P Jedwali la data
IXFX200N10P Picha
IXFX200N10P Bei
IXFX200N10P Toa
IXFX200N10P Bei ya chini
IXFX200N10P Tafuta
IXFX200N10P Ununuzi
IXFX200N10P Chip