IXTA16N50P
MOSFET N-CH 500V 16A D2-PAK
Nambari ya Sehemu
IXTA16N50P
Mtengenezaji/Chapa
Mfululizo
PolarHV™
Hali ya Sehemu
Active
Ufungaji
Tube
Teknolojia
MOSFET (Metal Oxide)
Joto la Uendeshaji
-55°C ~ 150°C (TJ)
Aina ya Kuweka
Surface Mount
Kifurushi / Kesi
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Kifurushi cha Kifaa cha Wasambazaji
TO-263 (IXTA)
Upotezaji wa Nguvu (Upeo)
300W (Tc)
Aina ya FET
N-Channel
Kipengele cha FET
-
Mimina hadi Chanzo Voltage (Vdss)
500V
Ya Sasa - Mifereji ya Kuendelea (Id) @ 25�C
16A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs
400 mOhm @ 8A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Kitambulisho
5.5V @ 250µA
Malipo ya Lango (Qg) (Max) @ Vgs
43nC @ 10V
Uwezo wa Kuingiza (Ciss) (Upeo zaidi) @ Vds
2250pF @ 25V
Voltage ya Kuendesha (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Vgs (Upeo)
±30V
Omba Nukuu
Tafadhali kamilisha sehemu zote zinazohitajika na ubofye "Wasilisha", tutawasiliana nawe baada ya saa 12 kupitia barua pepe. Ikiwa una tatizo lolote, tafadhali acha ujumbe au barua pepe kwa [email protected], tutajibu haraka iwezekanavyo.
Katika Hisa 29471 PCS
Maelezo ya Mawasiliano
Bidhaa Zinazohusiana
Maneno muhimu ya IXTA16N50P
IXTA16N50P Vipengele vya elektroniki
IXTA16N50P Mauzo
IXTA16N50P Msambazaji
IXTA16N50P Msambazaji
IXTA16N50P Jedwali la data
IXTA16N50P Picha
IXTA16N50P Bei
IXTA16N50P Toa
IXTA16N50P Bei ya chini
IXTA16N50P Tafuta
IXTA16N50P Ununuzi
IXTA16N50P Chip