IXTA4N150HV
MOSFET N-CH 1.5KV 4A TO263
Nambari ya Sehemu
IXTA4N150HV
Mtengenezaji/Chapa
Mfululizo
-
Hali ya Sehemu
Active
Ufungaji
Tube
Teknolojia
MOSFET (Metal Oxide)
Joto la Uendeshaji
-55°C ~ 150°C (TJ)
Aina ya Kuweka
Surface Mount
Kifurushi / Kesi
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Kifurushi cha Kifaa cha Wasambazaji
TO-263
Upotezaji wa Nguvu (Upeo)
280W (Tc)
Aina ya FET
N-Channel
Kipengele cha FET
-
Mimina hadi Chanzo Voltage (Vdss)
1500V
Ya Sasa - Mifereji ya Kuendelea (Id) @ 25�C
4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs
6 Ohm @ 500mA, 10V
Vgs(th) (Max) @ Kitambulisho
5V @ 250µA
Malipo ya Lango (Qg) (Max) @ Vgs
44.5nC @ 10V
Uwezo wa Kuingiza (Ciss) (Upeo zaidi) @ Vds
1576pF @ 25V
Voltage ya Kuendesha (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Vgs (Upeo)
±30V
Omba Nukuu
Tafadhali kamilisha sehemu zote zinazohitajika na ubofye "Wasilisha", tutawasiliana nawe baada ya saa 12 kupitia barua pepe. Ikiwa una tatizo lolote, tafadhali acha ujumbe au barua pepe kwa [email protected], tutajibu haraka iwezekanavyo.
Katika Hisa 6464 PCS
Maelezo ya Mawasiliano
Bidhaa Zinazohusiana
Maneno muhimu ya IXTA4N150HV
IXTA4N150HV Vipengele vya elektroniki
IXTA4N150HV Mauzo
IXTA4N150HV Msambazaji
IXTA4N150HV Msambazaji
IXTA4N150HV Jedwali la data
IXTA4N150HV Picha
IXTA4N150HV Bei
IXTA4N150HV Toa
IXTA4N150HV Bei ya chini
IXTA4N150HV Tafuta
IXTA4N150HV Ununuzi
IXTA4N150HV Chip