IXTT60N20L2
MOSFET N-CH 200V 60A TO268
Nambari ya Sehemu
IXTT60N20L2
Mtengenezaji/Chapa
Mfululizo
Linear L2™
Hali ya Sehemu
Active
Ufungaji
Tube
Teknolojia
MOSFET (Metal Oxide)
Joto la Uendeshaji
-55°C ~ 150°C (TJ)
Aina ya Kuweka
Surface Mount
Kifurushi / Kesi
TO-268-3, D³Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA
Kifurushi cha Kifaa cha Wasambazaji
TO-268
Upotezaji wa Nguvu (Upeo)
540W (Tc)
Aina ya FET
N-Channel
Kipengele cha FET
-
Mimina hadi Chanzo Voltage (Vdss)
200V
Ya Sasa - Mifereji ya Kuendelea (Id) @ 25�C
60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs
45 mOhm @ 30A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Kitambulisho
4.5V @ 250µA
Malipo ya Lango (Qg) (Max) @ Vgs
255nC @ 10V
Uwezo wa Kuingiza (Ciss) (Upeo zaidi) @ Vds
10500pF @ 25V
Voltage ya Kuendesha (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Vgs (Upeo)
±20V
Omba Nukuu
Tafadhali kamilisha sehemu zote zinazohitajika na ubofye "Wasilisha", tutawasiliana nawe baada ya saa 12 kupitia barua pepe. Ikiwa una tatizo lolote, tafadhali acha ujumbe au barua pepe kwa [email protected], tutajibu haraka iwezekanavyo.
Katika Hisa 21356 PCS
Maelezo ya Mawasiliano
Bidhaa Zinazohusiana
Maneno muhimu ya IXTT60N20L2
IXTT60N20L2 Vipengele vya elektroniki
IXTT60N20L2 Mauzo
IXTT60N20L2 Msambazaji
IXTT60N20L2 Msambazaji
IXTT60N20L2 Jedwali la data
IXTT60N20L2 Picha
IXTT60N20L2 Bei
IXTT60N20L2 Toa
IXTT60N20L2 Bei ya chini
IXTT60N20L2 Tafuta
IXTT60N20L2 Ununuzi
IXTT60N20L2 Chip