IXTT80N20L
MOSFET N-CH 200V 80A TO-268
Nambari ya Sehemu
IXTT80N20L
Mtengenezaji/Chapa
Mfululizo
Linear™
Hali ya Sehemu
Active
Ufungaji
Tube
Teknolojia
MOSFET (Metal Oxide)
Joto la Uendeshaji
-55°C ~ 150°C (TJ)
Aina ya Kuweka
Surface Mount
Kifurushi / Kesi
TO-268-3, D³Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA
Kifurushi cha Kifaa cha Wasambazaji
TO-268
Upotezaji wa Nguvu (Upeo)
520W (Tc)
Aina ya FET
N-Channel
Kipengele cha FET
-
Mimina hadi Chanzo Voltage (Vdss)
200V
Ya Sasa - Mifereji ya Kuendelea (Id) @ 25�C
80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs
32 mOhm @ 40A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Kitambulisho
4V @ 250µA
Malipo ya Lango (Qg) (Max) @ Vgs
180nC @ 10V
Uwezo wa Kuingiza (Ciss) (Upeo zaidi) @ Vds
6160pF @ 25V
Voltage ya Kuendesha (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Vgs (Upeo)
±20V
Omba Nukuu
Tafadhali kamilisha sehemu zote zinazohitajika na ubofye "Wasilisha", tutawasiliana nawe baada ya saa 12 kupitia barua pepe. Ikiwa una tatizo lolote, tafadhali acha ujumbe au barua pepe kwa [email protected], tutajibu haraka iwezekanavyo.
Katika Hisa 48603 PCS
Maelezo ya Mawasiliano
Bidhaa Zinazohusiana
Maneno muhimu ya IXTT80N20L
IXTT80N20L Vipengele vya elektroniki
IXTT80N20L Mauzo
IXTT80N20L Msambazaji
IXTT80N20L Msambazaji
IXTT80N20L Jedwali la data
IXTT80N20L Picha
IXTT80N20L Bei
IXTT80N20L Toa
IXTT80N20L Bei ya chini
IXTT80N20L Tafuta
IXTT80N20L Ununuzi
IXTT80N20L Chip