IXTY1R6N100D2
MOSFET N-CH 1000V 1.6A DPAK
Nambari ya Sehemu
IXTY1R6N100D2
Mtengenezaji/Chapa
Mfululizo
-
Hali ya Sehemu
Active
Ufungaji
Tube
Teknolojia
MOSFET (Metal Oxide)
Joto la Uendeshaji
-55°C ~ 150°C (TJ)
Aina ya Kuweka
Surface Mount
Kifurushi / Kesi
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Kifurushi cha Kifaa cha Wasambazaji
TO-252, (D-Pak)
Upotezaji wa Nguvu (Upeo)
100W (Tc)
Aina ya FET
N-Channel
Kipengele cha FET
Depletion Mode
Mimina hadi Chanzo Voltage (Vdss)
1000V
Ya Sasa - Mifereji ya Kuendelea (Id) @ 25�C
1.6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs
10 Ohm @ 800mA, 0V
Vgs(th) (Max) @ Kitambulisho
-
Malipo ya Lango (Qg) (Max) @ Vgs
27nC @ 5V
Uwezo wa Kuingiza (Ciss) (Upeo zaidi) @ Vds
645pF @ 25V
Voltage ya Kuendesha (Max Rds On, Min Rds On)
-
Vgs (Upeo)
±20V
Omba Nukuu
Tafadhali kamilisha sehemu zote zinazohitajika na ubofye "Wasilisha", tutawasiliana nawe baada ya saa 12 kupitia barua pepe. Ikiwa una tatizo lolote, tafadhali acha ujumbe au barua pepe kwa [email protected], tutajibu haraka iwezekanavyo.
Katika Hisa 14305 PCS
Maelezo ya Mawasiliano
Bidhaa Zinazohusiana
Maneno muhimu ya IXTY1R6N100D2
IXTY1R6N100D2 Vipengele vya elektroniki
IXTY1R6N100D2 Mauzo
IXTY1R6N100D2 Msambazaji
IXTY1R6N100D2 Msambazaji
IXTY1R6N100D2 Jedwali la data
IXTY1R6N100D2 Picha
IXTY1R6N100D2 Bei
IXTY1R6N100D2 Toa
IXTY1R6N100D2 Bei ya chini
IXTY1R6N100D2 Tafuta
IXTY1R6N100D2 Ununuzi
IXTY1R6N100D2 Chip