IXTY3N60P
MOSFET N-CH 600V 3A D-PAK
Nambari ya Sehemu
IXTY3N60P
Mtengenezaji/Chapa
Mfululizo
PolarHV™
Hali ya Sehemu
Last Time Buy
Ufungaji
Tube
Teknolojia
MOSFET (Metal Oxide)
Joto la Uendeshaji
-55°C ~ 150°C (TJ)
Aina ya Kuweka
Surface Mount
Kifurushi / Kesi
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Kifurushi cha Kifaa cha Wasambazaji
TO-252, (D-Pak)
Upotezaji wa Nguvu (Upeo)
70W (Tc)
Aina ya FET
N-Channel
Kipengele cha FET
-
Mimina hadi Chanzo Voltage (Vdss)
600V
Ya Sasa - Mifereji ya Kuendelea (Id) @ 25�C
3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs
2.9 Ohm @ 500mA, 10V
Vgs(th) (Max) @ Kitambulisho
5.5V @ 50µA
Malipo ya Lango (Qg) (Max) @ Vgs
9.8nC @ 10V
Uwezo wa Kuingiza (Ciss) (Upeo zaidi) @ Vds
411pF @ 25V
Voltage ya Kuendesha (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Vgs (Upeo)
±30V
Omba Nukuu
Tafadhali kamilisha sehemu zote zinazohitajika na ubofye "Wasilisha", tutawasiliana nawe baada ya saa 12 kupitia barua pepe. Ikiwa una tatizo lolote, tafadhali acha ujumbe au barua pepe kwa [email protected], tutajibu haraka iwezekanavyo.
Katika Hisa 50402 PCS
Maelezo ya Mawasiliano
Bidhaa Zinazohusiana
Maneno muhimu ya IXTY3N60P
IXTY3N60P Vipengele vya elektroniki
IXTY3N60P Mauzo
IXTY3N60P Msambazaji
IXTY3N60P Msambazaji
IXTY3N60P Jedwali la data
IXTY3N60P Picha
IXTY3N60P Bei
IXTY3N60P Toa
IXTY3N60P Bei ya chini
IXTY3N60P Tafuta
IXTY3N60P Ununuzi
IXTY3N60P Chip