PSMN102-200Y,115
MOSFET N-CH 200V 21.5A LFPAK
Nambari ya Sehemu
PSMN102-200Y,115
Mtengenezaji/Chapa
Mfululizo
TrenchMOS™
Hali ya Sehemu
Active
Ufungaji
Tape & Reel (TR)
Teknolojia
MOSFET (Metal Oxide)
Joto la Uendeshaji
-55°C ~ 150°C (TJ)
Aina ya Kuweka
Surface Mount
Kifurushi / Kesi
SC-100, SOT-669
Kifurushi cha Kifaa cha Wasambazaji
LFPAK56, Power-SO8
Upotezaji wa Nguvu (Upeo)
113W (Tc)
Aina ya FET
N-Channel
Kipengele cha FET
-
Mimina hadi Chanzo Voltage (Vdss)
200V
Ya Sasa - Mifereji ya Kuendelea (Id) @ 25�C
21.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs
102 mOhm @ 12A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Kitambulisho
4V @ 1mA
Malipo ya Lango (Qg) (Max) @ Vgs
30.7nC @ 10V
Uwezo wa Kuingiza (Ciss) (Upeo zaidi) @ Vds
1568pF @ 30V
Voltage ya Kuendesha (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Vgs (Upeo)
±20V
Omba Nukuu
Tafadhali kamilisha sehemu zote zinazohitajika na ubofye "Wasilisha", tutawasiliana nawe baada ya saa 12 kupitia barua pepe. Ikiwa una tatizo lolote, tafadhali acha ujumbe au barua pepe kwa [email protected], tutajibu haraka iwezekanavyo.
Katika Hisa 27330 PCS
Maelezo ya Mawasiliano
Bidhaa Zinazohusiana
Maneno muhimu ya PSMN102-200Y,115
PSMN102-200Y,115 Vipengele vya elektroniki
PSMN102-200Y,115 Mauzo
PSMN102-200Y,115 Msambazaji
PSMN102-200Y,115 Msambazaji
PSMN102-200Y,115 Jedwali la data
PSMN102-200Y,115 Picha
PSMN102-200Y,115 Bei
PSMN102-200Y,115 Toa
PSMN102-200Y,115 Bei ya chini
PSMN102-200Y,115 Tafuta
PSMN102-200Y,115 Ununuzi
PSMN102-200Y,115 Chip