Nunua Rohm Semiconductor R6002END3TL1 NCH 600V 2A POWER MOSFET

Picha inaweza kuwa uwakilishi.
Angalia vipimo kwa maelezo ya bidhaa.

DataSheets

R6002END3TL1

NCH 600V 2A POWER MOSFET

Nambari ya Sehemu

R6002END3TL1

Mtengenezaji/Chapa

Rohm Semiconductor

Mfululizo

Hali ya Sehemu

Active

Ufungaji

Cut Tape (CT)

Teknolojia

MOSFET (Metal Oxide)

Joto la Uendeshaji

-55°C ~ 150°C (TJ)

Aina ya Kuweka

Surface Mount

Kifurushi / Kesi

TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

Kifurushi cha Kifaa cha Wasambazaji

TO-252

Upotezaji wa Nguvu (Upeo)

26W (Tc)

Aina ya FET

N-Channel

Kipengele cha FET

Mimina hadi Chanzo Voltage (Vdss)

600V

Ya Sasa - Mifereji ya Kuendelea (Id) @ 25�C

1.7A (Tc)

Rds On (Max) @ Id, Vgs

3.4 Ohm @ 500mA, 10V

Vgs(th) (Max) @ Kitambulisho

4V @ 1mA

Malipo ya Lango (Qg) (Max) @ Vgs

6.5nC @ 10V

Uwezo wa Kuingiza (Ciss) (Upeo zaidi) @ Vds

65pF @ 25V

Voltage ya Kuendesha (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Vgs (Upeo)

±20V

Omba Nukuu

Tafadhali kamilisha sehemu zote zinazohitajika na ubofye "Wasilisha", tutawasiliana nawe baada ya saa 12 kupitia barua pepe. Ikiwa una tatizo lolote, tafadhali acha ujumbe au barua pepe kwa [email protected], tutajibu haraka iwezekanavyo.

Katika Hisa 22310 PCS

Maelezo ya Mawasiliano

Bidhaa Zinazohusiana