Nunua Toshiba Semiconductor and Storage SSM6K202FE,LF MOSFET N-CH 30V 2.3A ES6

Picha inaweza kuwa uwakilishi.
Angalia vipimo kwa maelezo ya bidhaa.

DataSheets

SSM6K202FE,LF

MOSFET N-CH 30V 2.3A ES6

Nambari ya Sehemu

SSM6K202FE,LF

Mtengenezaji/Chapa

Toshiba Semiconductor and Storage

Mfululizo

Hali ya Sehemu

Active

Ufungaji

Cut Tape (CT)

Teknolojia

MOSFET (Metal Oxide)

Joto la Uendeshaji

150°C (TJ)

Aina ya Kuweka

Surface Mount

Kifurushi / Kesi

SOT-563, SOT-666

Kifurushi cha Kifaa cha Wasambazaji

ES6 (1.6x1.6)

Upotezaji wa Nguvu (Upeo)

500mW (Ta)

Aina ya FET

N-Channel

Kipengele cha FET

Mimina hadi Chanzo Voltage (Vdss)

30V

Ya Sasa - Mifereji ya Kuendelea (Id) @ 25�C

2.3A (Ta)

Rds On (Max) @ Id, Vgs

85 mOhm @ 1.5A, 4V

Vgs(th) (Max) @ Kitambulisho

1V @ 1mA

Malipo ya Lango (Qg) (Max) @ Vgs

Uwezo wa Kuingiza (Ciss) (Upeo zaidi) @ Vds

270pF @ 10V

Voltage ya Kuendesha (Max Rds On, Min Rds On)

1.8V, 4V

Vgs (Upeo)

±12V

Omba Nukuu

Tafadhali kamilisha sehemu zote zinazohitajika na ubofye "Wasilisha", tutawasiliana nawe baada ya saa 12 kupitia barua pepe. Ikiwa una tatizo lolote, tafadhali acha ujumbe au barua pepe kwa [email protected], tutajibu haraka iwezekanavyo.

Katika Hisa 30731 PCS

Maelezo ya Mawasiliano

Bidhaa Zinazohusiana