IRF630SPBF
MOSFET N-CH 200V 9A D2PAK
Nambari ya Sehemu
IRF630SPBF
Mtengenezaji/Chapa
Mfululizo
-
Hali ya Sehemu
Active
Ufungaji
Tube
Teknolojia
MOSFET (Metal Oxide)
Joto la Uendeshaji
-55°C ~ 150°C (TJ)
Aina ya Kuweka
Surface Mount
Kifurushi / Kesi
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Kifurushi cha Kifaa cha Wasambazaji
D²PAK (TO-263)
Upotezaji wa Nguvu (Upeo)
3W (Ta), 74W (Tc)
Aina ya FET
N-Channel
Kipengele cha FET
-
Mimina hadi Chanzo Voltage (Vdss)
200V
Ya Sasa - Mifereji ya Kuendelea (Id) @ 25�C
9A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs
400 mOhm @ 5.4A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Kitambulisho
4V @ 250µA
Malipo ya Lango (Qg) (Max) @ Vgs
43nC @ 10V
Uwezo wa Kuingiza (Ciss) (Upeo zaidi) @ Vds
800pF @ 25V
Voltage ya Kuendesha (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Vgs (Upeo)
±20V
Omba Nukuu
Tafadhali kamilisha sehemu zote zinazohitajika na ubofye "Wasilisha", tutawasiliana nawe baada ya saa 12 kupitia barua pepe. Ikiwa una tatizo lolote, tafadhali acha ujumbe au barua pepe kwa [email protected], tutajibu haraka iwezekanavyo.
Katika Hisa 42924 PCS
Maelezo ya Mawasiliano
Bidhaa Zinazohusiana
Maneno muhimu ya IRF630SPBF
IRF630SPBF Vipengele vya elektroniki
IRF630SPBF Mauzo
IRF630SPBF Msambazaji
IRF630SPBF Msambazaji
IRF630SPBF Jedwali la data
IRF630SPBF Picha
IRF630SPBF Bei
IRF630SPBF Toa
IRF630SPBF Bei ya chini
IRF630SPBF Tafuta
IRF630SPBF Ununuzi
IRF630SPBF Chip