SI1013X-T1-E3
MOSFET P-CH 20V 350MA SC89-3
Nambari ya Sehemu
SI1013X-T1-E3
Mtengenezaji/Chapa
Mfululizo
TrenchFET®
Hali ya Sehemu
Obsolete
Ufungaji
Cut Tape (CT)
Teknolojia
MOSFET (Metal Oxide)
Joto la Uendeshaji
-55°C ~ 150°C (TJ)
Aina ya Kuweka
Surface Mount
Kifurushi / Kesi
SC-89, SOT-490
Kifurushi cha Kifaa cha Wasambazaji
SC-89-3
Upotezaji wa Nguvu (Upeo)
250mW (Ta)
Aina ya FET
P-Channel
Kipengele cha FET
-
Mimina hadi Chanzo Voltage (Vdss)
20V
Ya Sasa - Mifereji ya Kuendelea (Id) @ 25�C
350mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs
1.2 Ohm @ 350mA, 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Kitambulisho
450mV @ 250µA (Min)
Malipo ya Lango (Qg) (Max) @ Vgs
1.5nC @ 4.5V
Uwezo wa Kuingiza (Ciss) (Upeo zaidi) @ Vds
-
Voltage ya Kuendesha (Max Rds On, Min Rds On)
1.8V, 4.5V
Vgs (Upeo)
±6V
Omba Nukuu
Tafadhali kamilisha sehemu zote zinazohitajika na ubofye "Wasilisha", tutawasiliana nawe baada ya saa 12 kupitia barua pepe. Ikiwa una tatizo lolote, tafadhali acha ujumbe au barua pepe kwa [email protected], tutajibu haraka iwezekanavyo.
Katika Hisa 23279 PCS
Maelezo ya Mawasiliano
Bidhaa Zinazohusiana
Maneno muhimu ya SI1013X-T1-E3
SI1013X-T1-E3 Vipengele vya elektroniki
SI1013X-T1-E3 Mauzo
SI1013X-T1-E3 Msambazaji
SI1013X-T1-E3 Msambazaji
SI1013X-T1-E3 Jedwali la data
SI1013X-T1-E3 Picha
SI1013X-T1-E3 Bei
SI1013X-T1-E3 Toa
SI1013X-T1-E3 Bei ya chini
SI1013X-T1-E3 Tafuta
SI1013X-T1-E3 Ununuzi
SI1013X-T1-E3 Chip