SI1058X-T1-E3
MOSFET N-CH 20V 1.3A SOT563F
Nambari ya Sehemu
SI1058X-T1-E3
Mtengenezaji/Chapa
Mfululizo
TrenchFET®
Hali ya Sehemu
Obsolete
Ufungaji
Cut Tape (CT)
Teknolojia
MOSFET (Metal Oxide)
Joto la Uendeshaji
-55°C ~ 150°C (TJ)
Aina ya Kuweka
Surface Mount
Kifurushi / Kesi
SOT-563, SOT-666
Kifurushi cha Kifaa cha Wasambazaji
SC-89-6
Upotezaji wa Nguvu (Upeo)
236mW (Ta)
Aina ya FET
N-Channel
Kipengele cha FET
-
Mimina hadi Chanzo Voltage (Vdss)
20V
Ya Sasa - Mifereji ya Kuendelea (Id) @ 25�C
-
Rds On (Max) @ Id, Vgs
91 mOhm @ 1.3A, 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Kitambulisho
1.55V @ 250µA
Malipo ya Lango (Qg) (Max) @ Vgs
5.9nC @ 5V
Uwezo wa Kuingiza (Ciss) (Upeo zaidi) @ Vds
380pF @ 10V
Voltage ya Kuendesha (Max Rds On, Min Rds On)
2.5V, 4.5V
Vgs (Upeo)
±12V
Omba Nukuu
Tafadhali kamilisha sehemu zote zinazohitajika na ubofye "Wasilisha", tutawasiliana nawe baada ya saa 12 kupitia barua pepe. Ikiwa una tatizo lolote, tafadhali acha ujumbe au barua pepe kwa [email protected], tutajibu haraka iwezekanavyo.
Katika Hisa 52626 PCS
Maelezo ya Mawasiliano
Bidhaa Zinazohusiana
Maneno muhimu ya SI1058X-T1-E3
SI1058X-T1-E3 Vipengele vya elektroniki
SI1058X-T1-E3 Mauzo
SI1058X-T1-E3 Msambazaji
SI1058X-T1-E3 Msambazaji
SI1058X-T1-E3 Jedwali la data
SI1058X-T1-E3 Picha
SI1058X-T1-E3 Bei
SI1058X-T1-E3 Toa
SI1058X-T1-E3 Bei ya chini
SI1058X-T1-E3 Tafuta
SI1058X-T1-E3 Ununuzi
SI1058X-T1-E3 Chip