SI1062X-T1-GE3
MOSFET N-CH 20V SC-89
Nambari ya Sehemu
SI1062X-T1-GE3
Mtengenezaji/Chapa
Mfululizo
TrenchFET®
Hali ya Sehemu
Active
Ufungaji
Cut Tape (CT)
Teknolojia
MOSFET (Metal Oxide)
Joto la Uendeshaji
-55°C ~ 150°C (TJ)
Aina ya Kuweka
Surface Mount
Kifurushi / Kesi
SC-89, SOT-490
Kifurushi cha Kifaa cha Wasambazaji
SC-89-3
Upotezaji wa Nguvu (Upeo)
220mW (Ta)
Aina ya FET
N-Channel
Kipengele cha FET
-
Mimina hadi Chanzo Voltage (Vdss)
20V
Ya Sasa - Mifereji ya Kuendelea (Id) @ 25�C
-
Rds On (Max) @ Id, Vgs
420 mOhm @ 500mA, 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Kitambulisho
1V @ 250µA
Malipo ya Lango (Qg) (Max) @ Vgs
2.7nC @ 8V
Uwezo wa Kuingiza (Ciss) (Upeo zaidi) @ Vds
43pF @ 10V
Voltage ya Kuendesha (Max Rds On, Min Rds On)
1.5V, 4.5V
Vgs (Upeo)
±8V
Omba Nukuu
Tafadhali kamilisha sehemu zote zinazohitajika na ubofye "Wasilisha", tutawasiliana nawe baada ya saa 12 kupitia barua pepe. Ikiwa una tatizo lolote, tafadhali acha ujumbe au barua pepe kwa [email protected], tutajibu haraka iwezekanavyo.
Katika Hisa 40002 PCS
Maelezo ya Mawasiliano
Bidhaa Zinazohusiana
Maneno muhimu ya SI1062X-T1-GE3
SI1062X-T1-GE3 Vipengele vya elektroniki
SI1062X-T1-GE3 Mauzo
SI1062X-T1-GE3 Msambazaji
SI1062X-T1-GE3 Msambazaji
SI1062X-T1-GE3 Jedwali la data
SI1062X-T1-GE3 Picha
SI1062X-T1-GE3 Bei
SI1062X-T1-GE3 Toa
SI1062X-T1-GE3 Bei ya chini
SI1062X-T1-GE3 Tafuta
SI1062X-T1-GE3 Ununuzi
SI1062X-T1-GE3 Chip