SI2307BDS-T1-E3
MOSFET P-CH 30V 2.5A SOT23-3
Nambari ya Sehemu
SI2307BDS-T1-E3
Mtengenezaji/Chapa
Mfululizo
TrenchFET®
Hali ya Sehemu
Active
Ufungaji
Digi-Reel®
Teknolojia
MOSFET (Metal Oxide)
Joto la Uendeshaji
-55°C ~ 150°C (TJ)
Aina ya Kuweka
Surface Mount
Kifurushi / Kesi
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Kifurushi cha Kifaa cha Wasambazaji
SOT-23-3 (TO-236)
Upotezaji wa Nguvu (Upeo)
750mW (Ta)
Aina ya FET
P-Channel
Kipengele cha FET
-
Mimina hadi Chanzo Voltage (Vdss)
30V
Ya Sasa - Mifereji ya Kuendelea (Id) @ 25�C
2.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs
78 mOhm @ 3.2A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Kitambulisho
3V @ 250µA
Malipo ya Lango (Qg) (Max) @ Vgs
15nC @ 10V
Uwezo wa Kuingiza (Ciss) (Upeo zaidi) @ Vds
380pF @ 15V
Voltage ya Kuendesha (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V, 10V
Vgs (Upeo)
±20V
Omba Nukuu
Tafadhali kamilisha sehemu zote zinazohitajika na ubofye "Wasilisha", tutawasiliana nawe baada ya saa 12 kupitia barua pepe. Ikiwa una tatizo lolote, tafadhali acha ujumbe au barua pepe kwa [email protected], tutajibu haraka iwezekanavyo.
Katika Hisa 54966 PCS
Maelezo ya Mawasiliano
Bidhaa Zinazohusiana
Maneno muhimu ya SI2307BDS-T1-E3
SI2307BDS-T1-E3 Vipengele vya elektroniki
SI2307BDS-T1-E3 Mauzo
SI2307BDS-T1-E3 Msambazaji
SI2307BDS-T1-E3 Msambazaji
SI2307BDS-T1-E3 Jedwali la data
SI2307BDS-T1-E3 Picha
SI2307BDS-T1-E3 Bei
SI2307BDS-T1-E3 Toa
SI2307BDS-T1-E3 Bei ya chini
SI2307BDS-T1-E3 Tafuta
SI2307BDS-T1-E3 Ununuzi
SI2307BDS-T1-E3 Chip