SI2314EDS-T1-E3
MOSFET N-CH 20V 3.77A SOT23-3
Nambari ya Sehemu
SI2314EDS-T1-E3
Mtengenezaji/Chapa
Mfululizo
TrenchFET®
Hali ya Sehemu
Active
Ufungaji
Digi-Reel®
Teknolojia
MOSFET (Metal Oxide)
Joto la Uendeshaji
-55°C ~ 150°C (TJ)
Aina ya Kuweka
Surface Mount
Kifurushi / Kesi
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Kifurushi cha Kifaa cha Wasambazaji
SOT-23-3 (TO-236)
Upotezaji wa Nguvu (Upeo)
750mW (Ta)
Aina ya FET
N-Channel
Kipengele cha FET
-
Mimina hadi Chanzo Voltage (Vdss)
20V
Ya Sasa - Mifereji ya Kuendelea (Id) @ 25�C
3.77A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs
33 mOhm @ 5A, 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Kitambulisho
950mV @ 250µA
Malipo ya Lango (Qg) (Max) @ Vgs
14nC @ 4.5V
Uwezo wa Kuingiza (Ciss) (Upeo zaidi) @ Vds
-
Voltage ya Kuendesha (Max Rds On, Min Rds On)
1.8V, 4.5V
Vgs (Upeo)
±12V
Omba Nukuu
Tafadhali kamilisha sehemu zote zinazohitajika na ubofye "Wasilisha", tutawasiliana nawe baada ya saa 12 kupitia barua pepe. Ikiwa una tatizo lolote, tafadhali acha ujumbe au barua pepe kwa [email protected], tutajibu haraka iwezekanavyo.
Katika Hisa 38924 PCS
Maelezo ya Mawasiliano
Bidhaa Zinazohusiana
Maneno muhimu ya SI2314EDS-T1-E3
SI2314EDS-T1-E3 Vipengele vya elektroniki
SI2314EDS-T1-E3 Mauzo
SI2314EDS-T1-E3 Msambazaji
SI2314EDS-T1-E3 Msambazaji
SI2314EDS-T1-E3 Jedwali la data
SI2314EDS-T1-E3 Picha
SI2314EDS-T1-E3 Bei
SI2314EDS-T1-E3 Toa
SI2314EDS-T1-E3 Bei ya chini
SI2314EDS-T1-E3 Tafuta
SI2314EDS-T1-E3 Ununuzi
SI2314EDS-T1-E3 Chip