SI4346DY-T1-E3
MOSFET N-CH 30V 5.9A 8-SOIC
Nambari ya Sehemu
SI4346DY-T1-E3
Mtengenezaji/Chapa
Mfululizo
TrenchFET®
Hali ya Sehemu
Active
Ufungaji
Tape & Reel (TR)
Teknolojia
MOSFET (Metal Oxide)
Joto la Uendeshaji
-55°C ~ 150°C (TJ)
Aina ya Kuweka
Surface Mount
Kifurushi / Kesi
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Kifurushi cha Kifaa cha Wasambazaji
8-SO
Upotezaji wa Nguvu (Upeo)
1.31W (Ta)
Aina ya FET
N-Channel
Kipengele cha FET
-
Mimina hadi Chanzo Voltage (Vdss)
30V
Ya Sasa - Mifereji ya Kuendelea (Id) @ 25�C
5.9A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs
23 mOhm @ 8A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Kitambulisho
2V @ 250µA
Malipo ya Lango (Qg) (Max) @ Vgs
10nC @ 4.5V
Uwezo wa Kuingiza (Ciss) (Upeo zaidi) @ Vds
-
Voltage ya Kuendesha (Max Rds On, Min Rds On)
2.5V, 10V
Vgs (Upeo)
±12V
Omba Nukuu
Tafadhali kamilisha sehemu zote zinazohitajika na ubofye "Wasilisha", tutawasiliana nawe baada ya saa 12 kupitia barua pepe. Ikiwa una tatizo lolote, tafadhali acha ujumbe au barua pepe kwa [email protected], tutajibu haraka iwezekanavyo.
Katika Hisa 40895 PCS
Maelezo ya Mawasiliano
Bidhaa Zinazohusiana
Maneno muhimu ya SI4346DY-T1-E3
SI4346DY-T1-E3 Vipengele vya elektroniki
SI4346DY-T1-E3 Mauzo
SI4346DY-T1-E3 Msambazaji
SI4346DY-T1-E3 Msambazaji
SI4346DY-T1-E3 Jedwali la data
SI4346DY-T1-E3 Picha
SI4346DY-T1-E3 Bei
SI4346DY-T1-E3 Toa
SI4346DY-T1-E3 Bei ya chini
SI4346DY-T1-E3 Tafuta
SI4346DY-T1-E3 Ununuzi
SI4346DY-T1-E3 Chip