SI5415EDU-T1-GE3
MOSFET P-CH 20V 25A PPAK CHIPFET
Nambari ya Sehemu
SI5415EDU-T1-GE3
Mtengenezaji/Chapa
Mfululizo
TrenchFET®
Hali ya Sehemu
Active
Ufungaji
Tape & Reel (TR)
Teknolojia
MOSFET (Metal Oxide)
Joto la Uendeshaji
-50°C ~ 150°C (TJ)
Aina ya Kuweka
Surface Mount
Kifurushi / Kesi
PowerPAK® ChipFET™ Single
Kifurushi cha Kifaa cha Wasambazaji
PowerPAK® ChipFet Single
Upotezaji wa Nguvu (Upeo)
3.1W (Ta), 31W (Tc)
Aina ya FET
P-Channel
Kipengele cha FET
-
Mimina hadi Chanzo Voltage (Vdss)
20V
Ya Sasa - Mifereji ya Kuendelea (Id) @ 25�C
25A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs
9.8 mOhm @ 10A, 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Kitambulisho
1V @ 250µA
Malipo ya Lango (Qg) (Max) @ Vgs
120nC @ 8V
Uwezo wa Kuingiza (Ciss) (Upeo zaidi) @ Vds
4300pF @ 10V
Voltage ya Kuendesha (Max Rds On, Min Rds On)
1.8V, 4.5V
Vgs (Upeo)
±8V
Omba Nukuu
Tafadhali kamilisha sehemu zote zinazohitajika na ubofye "Wasilisha", tutawasiliana nawe baada ya saa 12 kupitia barua pepe. Ikiwa una tatizo lolote, tafadhali acha ujumbe au barua pepe kwa chen_hx1688@hotmail.com, tutajibu haraka iwezekanavyo.
Katika Hisa 16984 PCS
Maelezo ya Mawasiliano
Bidhaa Zinazohusiana
Maneno muhimu ya SI5415EDU-T1-GE3
SI5415EDU-T1-GE3 Vipengele vya elektroniki
SI5415EDU-T1-GE3 Mauzo
SI5415EDU-T1-GE3 Msambazaji
SI5415EDU-T1-GE3 Msambazaji
SI5415EDU-T1-GE3 Jedwali la data
SI5415EDU-T1-GE3 Picha
SI5415EDU-T1-GE3 Bei
SI5415EDU-T1-GE3 Toa
SI5415EDU-T1-GE3 Bei ya chini
SI5415EDU-T1-GE3 Tafuta
SI5415EDU-T1-GE3 Ununuzi
SI5415EDU-T1-GE3 Chip