SI6415DQ-T1-E3
MOSFET P-CH 30V 6.5A 8-TSSOP
Nambari ya Sehemu
SI6415DQ-T1-E3
Mtengenezaji/Chapa
Mfululizo
TrenchFET®
Hali ya Sehemu
Active
Ufungaji
Tape & Reel (TR)
Teknolojia
MOSFET (Metal Oxide)
Joto la Uendeshaji
-55°C ~ 150°C (TJ)
Aina ya Kuweka
Surface Mount
Kifurushi / Kesi
8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)
Kifurushi cha Kifaa cha Wasambazaji
8-TSSOP
Upotezaji wa Nguvu (Upeo)
1.5W (Ta)
Aina ya FET
P-Channel
Kipengele cha FET
-
Mimina hadi Chanzo Voltage (Vdss)
30V
Ya Sasa - Mifereji ya Kuendelea (Id) @ 25�C
-
Rds On (Max) @ Id, Vgs
19 mOhm @ 6.5A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Kitambulisho
1V @ 250µA (Min)
Malipo ya Lango (Qg) (Max) @ Vgs
70nC @ 10V
Uwezo wa Kuingiza (Ciss) (Upeo zaidi) @ Vds
-
Voltage ya Kuendesha (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V, 10V
Vgs (Upeo)
±20V
Omba Nukuu
Tafadhali kamilisha sehemu zote zinazohitajika na ubofye "Wasilisha", tutawasiliana nawe baada ya saa 12 kupitia barua pepe. Ikiwa una tatizo lolote, tafadhali acha ujumbe au barua pepe kwa [email protected], tutajibu haraka iwezekanavyo.
Katika Hisa 13500 PCS
Maelezo ya Mawasiliano
Bidhaa Zinazohusiana
Maneno muhimu ya SI6415DQ-T1-E3
SI6415DQ-T1-E3 Vipengele vya elektroniki
SI6415DQ-T1-E3 Mauzo
SI6415DQ-T1-E3 Msambazaji
SI6415DQ-T1-E3 Msambazaji
SI6415DQ-T1-E3 Jedwali la data
SI6415DQ-T1-E3 Picha
SI6415DQ-T1-E3 Bei
SI6415DQ-T1-E3 Toa
SI6415DQ-T1-E3 Bei ya chini
SI6415DQ-T1-E3 Tafuta
SI6415DQ-T1-E3 Ununuzi
SI6415DQ-T1-E3 Chip