Picha inaweza kuwa uwakilishi.
Angalia vipimo kwa maelezo ya bidhaa.
SI7414DN-T1-E3

SI7414DN-T1-E3

MOSFET N-CH 60V 5.6A 1212-8
Nambari ya Sehemu
SI7414DN-T1-E3
Mtengenezaji/Chapa
Mfululizo
TrenchFET®
Hali ya Sehemu
Active
Ufungaji
Tape & Reel (TR)
Teknolojia
MOSFET (Metal Oxide)
Joto la Uendeshaji
-55°C ~ 150°C (TJ)
Aina ya Kuweka
Surface Mount
Kifurushi / Kesi
PowerPAK® 1212-8
Kifurushi cha Kifaa cha Wasambazaji
PowerPAK® 1212-8
Upotezaji wa Nguvu (Upeo)
1.5W (Ta)
Aina ya FET
N-Channel
Kipengele cha FET
-
Mimina hadi Chanzo Voltage (Vdss)
60V
Ya Sasa - Mifereji ya Kuendelea (Id) @ 25�C
5.6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs
25 mOhm @ 8.7A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Kitambulisho
3V @ 250µA
Malipo ya Lango (Qg) (Max) @ Vgs
25nC @ 10V
Uwezo wa Kuingiza (Ciss) (Upeo zaidi) @ Vds
-
Voltage ya Kuendesha (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V, 10V
Vgs (Upeo)
±20V
Omba Nukuu
Tafadhali kamilisha sehemu zote zinazohitajika na ubofye "Wasilisha", tutawasiliana nawe baada ya saa 12 kupitia barua pepe. Ikiwa una tatizo lolote, tafadhali acha ujumbe au barua pepe kwa [email protected], tutajibu haraka iwezekanavyo.
Katika Hisa 47128 PCS
Maelezo ya Mawasiliano
Maneno muhimu ya SI7414DN-T1-E3
SI7414DN-T1-E3 Vipengele vya elektroniki
SI7414DN-T1-E3 Mauzo
SI7414DN-T1-E3 Msambazaji
SI7414DN-T1-E3 Msambazaji
SI7414DN-T1-E3 Jedwali la data
SI7414DN-T1-E3 Picha
SI7414DN-T1-E3 Bei
SI7414DN-T1-E3 Toa
SI7414DN-T1-E3 Bei ya chini
SI7414DN-T1-E3 Tafuta
SI7414DN-T1-E3 Ununuzi
SI7414DN-T1-E3 Chip