Picha inaweza kuwa uwakilishi.
Angalia vipimo kwa maelezo ya bidhaa.
SI7456DP-T1-GE3

SI7456DP-T1-GE3

MOSFET N-CH 100V 5.7A PPAK SO-8
Nambari ya Sehemu
SI7456DP-T1-GE3
Mtengenezaji/Chapa
Mfululizo
TrenchFET®
Hali ya Sehemu
Active
Ufungaji
Tape & Reel (TR)
Teknolojia
MOSFET (Metal Oxide)
Joto la Uendeshaji
-55°C ~ 150°C (TJ)
Aina ya Kuweka
Surface Mount
Kifurushi / Kesi
PowerPAK® SO-8
Kifurushi cha Kifaa cha Wasambazaji
PowerPAK® SO-8
Upotezaji wa Nguvu (Upeo)
1.9W (Ta)
Aina ya FET
N-Channel
Kipengele cha FET
-
Mimina hadi Chanzo Voltage (Vdss)
100V
Ya Sasa - Mifereji ya Kuendelea (Id) @ 25�C
5.7A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs
25 mOhm @ 9.3A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Kitambulisho
4V @ 250µA
Malipo ya Lango (Qg) (Max) @ Vgs
44nC @ 10V
Uwezo wa Kuingiza (Ciss) (Upeo zaidi) @ Vds
-
Voltage ya Kuendesha (Max Rds On, Min Rds On)
6V, 10V
Vgs (Upeo)
±20V
Omba Nukuu
Tafadhali kamilisha sehemu zote zinazohitajika na ubofye "Wasilisha", tutawasiliana nawe baada ya saa 12 kupitia barua pepe. Ikiwa una tatizo lolote, tafadhali acha ujumbe au barua pepe kwa [email protected], tutajibu haraka iwezekanavyo.
Katika Hisa 5660 PCS
Maelezo ya Mawasiliano
Maneno muhimu ya SI7456DP-T1-GE3
SI7456DP-T1-GE3 Vipengele vya elektroniki
SI7456DP-T1-GE3 Mauzo
SI7456DP-T1-GE3 Msambazaji
SI7456DP-T1-GE3 Msambazaji
SI7456DP-T1-GE3 Jedwali la data
SI7456DP-T1-GE3 Picha
SI7456DP-T1-GE3 Bei
SI7456DP-T1-GE3 Toa
SI7456DP-T1-GE3 Bei ya chini
SI7456DP-T1-GE3 Tafuta
SI7456DP-T1-GE3 Ununuzi
SI7456DP-T1-GE3 Chip