SIA413DJ-T1-GE3
MOSFET P-CH 12V 12A SC70-6
Nambari ya Sehemu
SIA413DJ-T1-GE3
Mtengenezaji/Chapa
Mfululizo
TrenchFET®
Hali ya Sehemu
Active
Ufungaji
Tape & Reel (TR)
Teknolojia
MOSFET (Metal Oxide)
Joto la Uendeshaji
-55°C ~ 150°C (TJ)
Aina ya Kuweka
Surface Mount
Kifurushi / Kesi
PowerPAK® SC-70-6
Kifurushi cha Kifaa cha Wasambazaji
PowerPAK® SC-70-6 Single
Upotezaji wa Nguvu (Upeo)
3.5W (Ta), 19W (Tc)
Aina ya FET
P-Channel
Kipengele cha FET
-
Mimina hadi Chanzo Voltage (Vdss)
12V
Ya Sasa - Mifereji ya Kuendelea (Id) @ 25�C
12A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs
29 mOhm @ 6.7A, 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Kitambulisho
1V @ 250µA
Malipo ya Lango (Qg) (Max) @ Vgs
57nC @ 8V
Uwezo wa Kuingiza (Ciss) (Upeo zaidi) @ Vds
1800pF @ 10V
Voltage ya Kuendesha (Max Rds On, Min Rds On)
1.5V, 4.5V
Vgs (Upeo)
±8V
Omba Nukuu
Tafadhali kamilisha sehemu zote zinazohitajika na ubofye "Wasilisha", tutawasiliana nawe baada ya saa 12 kupitia barua pepe. Ikiwa una tatizo lolote, tafadhali acha ujumbe au barua pepe kwa [email protected], tutajibu haraka iwezekanavyo.
Katika Hisa 12872 PCS
Maelezo ya Mawasiliano
Bidhaa Zinazohusiana
Maneno muhimu ya SIA413DJ-T1-GE3
SIA413DJ-T1-GE3 Vipengele vya elektroniki
SIA413DJ-T1-GE3 Mauzo
SIA413DJ-T1-GE3 Msambazaji
SIA413DJ-T1-GE3 Msambazaji
SIA413DJ-T1-GE3 Jedwali la data
SIA413DJ-T1-GE3 Picha
SIA413DJ-T1-GE3 Bei
SIA413DJ-T1-GE3 Toa
SIA413DJ-T1-GE3 Bei ya chini
SIA413DJ-T1-GE3 Tafuta
SIA413DJ-T1-GE3 Ununuzi
SIA413DJ-T1-GE3 Chip