Nunua Vishay Siliconix SIRA12DP-T1-GE3 MOSFET N-CH 30V 25A PPAK SO-8

Picha inaweza kuwa uwakilishi.
Angalia vipimo kwa maelezo ya bidhaa.

DataSheets

SIRA12DP-T1-GE3

MOSFET N-CH 30V 25A PPAK SO-8

Nambari ya Sehemu

SIRA12DP-T1-GE3

Mtengenezaji/Chapa

Vishay Siliconix

Mfululizo

TrenchFET®

Hali ya Sehemu

Active

Ufungaji

Cut Tape (CT)

Teknolojia

MOSFET (Metal Oxide)

Joto la Uendeshaji

-55°C ~ 150°C (TJ)

Aina ya Kuweka

Surface Mount

Kifurushi / Kesi

PowerPAK® SO-8

Kifurushi cha Kifaa cha Wasambazaji

PowerPAK® SO-8

Upotezaji wa Nguvu (Upeo)

4.5W (Ta), 31W (Tc)

Aina ya FET

N-Channel

Kipengele cha FET

Mimina hadi Chanzo Voltage (Vdss)

30V

Ya Sasa - Mifereji ya Kuendelea (Id) @ 25�C

25A (Tc)

Rds On (Max) @ Id, Vgs

4.3 mOhm @ 10A, 10V

Vgs(th) (Max) @ Kitambulisho

2.2V @ 250µA

Malipo ya Lango (Qg) (Max) @ Vgs

45nC @ 10V

Uwezo wa Kuingiza (Ciss) (Upeo zaidi) @ Vds

2070pF @ 15V

Voltage ya Kuendesha (Max Rds On, Min Rds On)

4.5V, 10V

Vgs (Upeo)

+20V, -16V

Omba Nukuu

Tafadhali kamilisha sehemu zote zinazohitajika na ubofye "Wasilisha", tutawasiliana nawe baada ya saa 12 kupitia barua pepe. Ikiwa una tatizo lolote, tafadhali acha ujumbe au barua pepe kwa [email protected], tutajibu haraka iwezekanavyo.

Katika Hisa 36345 PCS

Maelezo ya Mawasiliano

Bidhaa Zinazohusiana

SIRA00DP-T1-GE3