SIS410DN-T1-GE3
MOSFET N-CH 20V 35A PPAK 1212-8
Nambari ya Sehemu
SIS410DN-T1-GE3
Mtengenezaji/Chapa
Mfululizo
TrenchFET®
Hali ya Sehemu
Active
Ufungaji
Tape & Reel (TR)
Teknolojia
MOSFET (Metal Oxide)
Joto la Uendeshaji
-55°C ~ 150°C (TJ)
Aina ya Kuweka
Surface Mount
Kifurushi / Kesi
PowerPAK® 1212-8
Kifurushi cha Kifaa cha Wasambazaji
PowerPAK® 1212-8
Upotezaji wa Nguvu (Upeo)
3.8W (Ta), 52W (Tc)
Aina ya FET
N-Channel
Kipengele cha FET
-
Mimina hadi Chanzo Voltage (Vdss)
20V
Ya Sasa - Mifereji ya Kuendelea (Id) @ 25�C
35A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs
4.8 mOhm @ 20A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Kitambulisho
2.5V @ 250µA
Malipo ya Lango (Qg) (Max) @ Vgs
41nC @ 10V
Uwezo wa Kuingiza (Ciss) (Upeo zaidi) @ Vds
1600pF @ 10V
Voltage ya Kuendesha (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V, 10V
Vgs (Upeo)
±20V
Omba Nukuu
Tafadhali kamilisha sehemu zote zinazohitajika na ubofye "Wasilisha", tutawasiliana nawe baada ya saa 12 kupitia barua pepe. Ikiwa una tatizo lolote, tafadhali acha ujumbe au barua pepe kwa [email protected], tutajibu haraka iwezekanavyo.
Katika Hisa 41372 PCS
Maelezo ya Mawasiliano
Bidhaa Zinazohusiana
Maneno muhimu ya SIS410DN-T1-GE3
SIS410DN-T1-GE3 Vipengele vya elektroniki
SIS410DN-T1-GE3 Mauzo
SIS410DN-T1-GE3 Msambazaji
SIS410DN-T1-GE3 Msambazaji
SIS410DN-T1-GE3 Jedwali la data
SIS410DN-T1-GE3 Picha
SIS410DN-T1-GE3 Bei
SIS410DN-T1-GE3 Toa
SIS410DN-T1-GE3 Bei ya chini
SIS410DN-T1-GE3 Tafuta
SIS410DN-T1-GE3 Ununuzi
SIS410DN-T1-GE3 Chip