Picha inaweza kuwa uwakilishi.
Angalia vipimo kwa maelezo ya bidhaa.
SIS476DN-T1-GE3

SIS476DN-T1-GE3

MOSFET N-CH 30V 40A 1212-8 PWR
Nambari ya Sehemu
SIS476DN-T1-GE3
Mtengenezaji/Chapa
Mfululizo
TrenchFET®
Hali ya Sehemu
Active
Ufungaji
Tape & Reel (TR)
Teknolojia
MOSFET (Metal Oxide)
Joto la Uendeshaji
-55°C ~ 150°C (TJ)
Aina ya Kuweka
Surface Mount
Kifurushi / Kesi
PowerPAK® 1212-8
Kifurushi cha Kifaa cha Wasambazaji
PowerPAK® 1212-8
Upotezaji wa Nguvu (Upeo)
3.7W (Ta), 52W (Tc)
Aina ya FET
N-Channel
Kipengele cha FET
-
Mimina hadi Chanzo Voltage (Vdss)
30V
Ya Sasa - Mifereji ya Kuendelea (Id) @ 25�C
40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs
2.5 mOhm @ 15A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Kitambulisho
2.3V @ 250µA
Malipo ya Lango (Qg) (Max) @ Vgs
77nC @ 10V
Uwezo wa Kuingiza (Ciss) (Upeo zaidi) @ Vds
3595pF @ 15V
Voltage ya Kuendesha (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V, 10V
Vgs (Upeo)
+20V, -16V
Omba Nukuu
Tafadhali kamilisha sehemu zote zinazohitajika na ubofye "Wasilisha", tutawasiliana nawe baada ya saa 12 kupitia barua pepe. Ikiwa una tatizo lolote, tafadhali acha ujumbe au barua pepe kwa [email protected], tutajibu haraka iwezekanavyo.
Katika Hisa 37749 PCS
Maelezo ya Mawasiliano
Maneno muhimu ya SIS476DN-T1-GE3
SIS476DN-T1-GE3 Vipengele vya elektroniki
SIS476DN-T1-GE3 Mauzo
SIS476DN-T1-GE3 Msambazaji
SIS476DN-T1-GE3 Msambazaji
SIS476DN-T1-GE3 Jedwali la data
SIS476DN-T1-GE3 Picha
SIS476DN-T1-GE3 Bei
SIS476DN-T1-GE3 Toa
SIS476DN-T1-GE3 Bei ya chini
SIS476DN-T1-GE3 Tafuta
SIS476DN-T1-GE3 Ununuzi
SIS476DN-T1-GE3 Chip