Nunua Vishay Siliconix SISA18DN-T1-GE3 MOSFET N-CH 30V 38.3A 1212-8

Picha inaweza kuwa uwakilishi.
Angalia vipimo kwa maelezo ya bidhaa.

Tazama Maelezo Zaidi DataSheets

SISA18DN-T1-GE3

MOSFET N-CH 30V 38.3A 1212-8

Nambari ya Sehemu

SISA18DN-T1-GE3

Mtengenezaji/Chapa

Vishay Siliconix

Mfululizo

TrenchFET®

Hali ya Sehemu

Discontinued at Digi-Key

Ufungaji

Tape & Reel (TR)

Teknolojia

MOSFET (Metal Oxide)

Joto la Uendeshaji

-55°C ~ 150°C (TJ)

Aina ya Kuweka

Surface Mount

Kifurushi / Kesi

PowerPAK® 1212-8

Kifurushi cha Kifaa cha Wasambazaji

PowerPAK® 1212-8

Upotezaji wa Nguvu (Upeo)

3.2W (Ta), 19.8W (Tc)

Aina ya FET

N-Channel

Kipengele cha FET

Mimina hadi Chanzo Voltage (Vdss)

30V

Ya Sasa - Mifereji ya Kuendelea (Id) @ 25�C

38.3A (Tc)

Rds On (Max) @ Id, Vgs

7.5 mOhm @ 10A, 10V

Vgs(th) (Max) @ Kitambulisho

2.4V @ 250µA

Malipo ya Lango (Qg) (Max) @ Vgs

21.5nC @ 10V

Uwezo wa Kuingiza (Ciss) (Upeo zaidi) @ Vds

1000pF @ 15V

Voltage ya Kuendesha (Max Rds On, Min Rds On)

4.5V, 10V

Vgs (Upeo)

+20V, -16V

Omba Nukuu

Tafadhali kamilisha sehemu zote zinazohitajika na ubofye "Wasilisha", tutawasiliana nawe baada ya saa 12 kupitia barua pepe. Ikiwa una tatizo lolote, tafadhali acha ujumbe au barua pepe kwa [email protected], tutajibu haraka iwezekanavyo.

Katika Hisa 47987 PCS

Maelezo ya Mawasiliano

Bidhaa Zinazohusiana

SISA01DN-T1-GE3