Triode/MOS tube/transistor/module
Nambari ya Sehemu
Infineon (Infineon)
Watengenezaji
N-channel, 55V, 169A, 5.3mΩ@10V
Maelezo
93551 PCS
Katika Hisa
Nambari ya Sehemu
AOS
Watengenezaji
N+P dual channel, 30V/6A(-30V/-6.5A)
Maelezo
87747 PCS
Katika Hisa
Nambari ya Sehemu
NCE (Wuxi New Clean Energy)
Watengenezaji
Maelezo
78033 PCS
Katika Hisa
Nambari ya Sehemu
NCE (Wuxi New Clean Energy)
Watengenezaji
Maelezo
60701 PCS
Katika Hisa
Nambari ya Sehemu
APM (Jonway Microelectronics)
Watengenezaji
Maelezo
79121 PCS
Katika Hisa
Nambari ya Sehemu
CJ (Jiangsu Changdian/Changjing)
Watengenezaji
UMG8N
Maelezo
91571 PCS
Katika Hisa
Nambari ya Sehemu
RealChip (Shenxin Semiconductor)
Watengenezaji
Maelezo
91582 PCS
Katika Hisa
Nambari ya Sehemu
onsemi (Ansemi)
Watengenezaji
This NPN transistor is suitable for general purpose amplifier applications. This device features SOT-723 encapsulation and is suitable for low power surface mount applications where board space is at a premium.
Maelezo
70974 PCS
Katika Hisa
Nambari ya Sehemu
AGM-Semi (core control source)
Watengenezaji
Maelezo
71757 PCS
Katika Hisa
Nambari ya Sehemu
DIODES (US and Taiwan)
Watengenezaji
-
Maelezo
98409 PCS
Katika Hisa
