IXKG25N80C
MOSFET N-CH 800V 25A ISO264
Nambari ya Sehemu
IXKG25N80C
Mtengenezaji/Chapa
Mfululizo
CoolMOS™
Hali ya Sehemu
Active
Ufungaji
Tube
Teknolojia
MOSFET (Metal Oxide)
Joto la Uendeshaji
-55°C ~ 150°C (TJ)
Aina ya Kuweka
Through Hole
Kifurushi / Kesi
ISO264™
Kifurushi cha Kifaa cha Wasambazaji
ISO264™
Upotezaji wa Nguvu (Upeo)
250W (Tc)
Aina ya FET
N-Channel
Kipengele cha FET
-
Mimina hadi Chanzo Voltage (Vdss)
800V
Ya Sasa - Mifereji ya Kuendelea (Id) @ 25�C
25A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs
150 mOhm @ 9A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Kitambulisho
4V @ 2mA
Malipo ya Lango (Qg) (Max) @ Vgs
166nC @ 10V
Uwezo wa Kuingiza (Ciss) (Upeo zaidi) @ Vds
-
Voltage ya Kuendesha (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Vgs (Upeo)
±20V
Omba Nukuu
Tafadhali kamilisha sehemu zote zinazohitajika na ubofye "Wasilisha", tutawasiliana nawe baada ya saa 12 kupitia barua pepe. Ikiwa una tatizo lolote, tafadhali acha ujumbe au barua pepe kwa [email protected], tutajibu haraka iwezekanavyo.
Katika Hisa 21119 PCS
Maelezo ya Mawasiliano
Bidhaa Zinazohusiana
Maneno muhimu ya IXKG25N80C
IXKG25N80C Vipengele vya elektroniki
IXKG25N80C Mauzo
IXKG25N80C Msambazaji
IXKG25N80C Msambazaji
IXKG25N80C Jedwali la data
IXKG25N80C Picha
IXKG25N80C Bei
IXKG25N80C Toa
IXKG25N80C Bei ya chini
IXKG25N80C Tafuta
IXKG25N80C Ununuzi
IXKG25N80C Chip