VP2110K1-G
MOSFET P-CH 100V 0.12A SOT23-3
Nambari ya Sehemu
VP2110K1-G
Mtengenezaji/Chapa
Mfululizo
-
Hali ya Sehemu
Active
Ufungaji
Cut Tape (CT)
Teknolojia
MOSFET (Metal Oxide)
Joto la Uendeshaji
-55°C ~ 150°C (TJ)
Aina ya Kuweka
Surface Mount
Kifurushi / Kesi
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Kifurushi cha Kifaa cha Wasambazaji
TO-236AB (SOT23)
Upotezaji wa Nguvu (Upeo)
360mW (Ta)
Aina ya FET
P-Channel
Kipengele cha FET
-
Mimina hadi Chanzo Voltage (Vdss)
100V
Ya Sasa - Mifereji ya Kuendelea (Id) @ 25�C
120mA (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs
12 Ohm @ 500mA, 10V
Vgs(th) (Max) @ Kitambulisho
3.5V @ 1mA
Malipo ya Lango (Qg) (Max) @ Vgs
-
Uwezo wa Kuingiza (Ciss) (Upeo zaidi) @ Vds
60pF @ 25V
Voltage ya Kuendesha (Max Rds On, Min Rds On)
5V, 10V
Vgs (Upeo)
±20V
Omba Nukuu
Tafadhali kamilisha sehemu zote zinazohitajika na ubofye "Wasilisha", tutawasiliana nawe baada ya saa 12 kupitia barua pepe. Ikiwa una tatizo lolote, tafadhali acha ujumbe au barua pepe kwa [email protected], tutajibu haraka iwezekanavyo.
Katika Hisa 39289 PCS
Maelezo ya Mawasiliano
Bidhaa Zinazohusiana
Maneno muhimu ya VP2110K1-G
VP2110K1-G Vipengele vya elektroniki
VP2110K1-G Mauzo
VP2110K1-G Msambazaji
VP2110K1-G Msambazaji
VP2110K1-G Jedwali la data
VP2110K1-G Picha
VP2110K1-G Bei
VP2110K1-G Toa
VP2110K1-G Bei ya chini
VP2110K1-G Tafuta
VP2110K1-G Ununuzi
VP2110K1-G Chip