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FDFM2N111
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FDFM2N111

MOSFET N-CH 20V 4A 3X3 MLP
Nambari ya Sehemu
FDFM2N111
Mtengenezaji/Chapa
ON Semiconductor
Mfululizo
PowerTrench®
Hali ya Sehemu
Active
Ufungaji
Tape & Reel (TR)
Teknolojia
MOSFET (Metal Oxide)
Joto la Uendeshaji
-55°C ~ 150°C (TJ)
Aina ya Kuweka
Surface Mount
Kifurushi / Kesi
6-MLP, Power33
Kifurushi cha Kifaa cha Wasambazaji
MicroFET 3x3mm
Upotezaji wa Nguvu (Upeo)
1.7W (Ta)
Aina ya FET
N-Channel
Kipengele cha FET
Schottky Diode (Isolated)
Mimina hadi Chanzo Voltage (Vdss)
20V
Ya Sasa - Mifereji ya Kuendelea (Id) @ 25�C
4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs
100 mOhm @ 4A, 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Kitambulisho
1.5V @ 250µA
Malipo ya Lango (Qg) (Max) @ Vgs
3.8nC @ 4.5V
Uwezo wa Kuingiza (Ciss) (Upeo zaidi) @ Vds
273pF @ 10V
Voltage ya Kuendesha (Max Rds On, Min Rds On)
2.5V, 4.5V
Vgs (Upeo)
±12V
Omba Nukuu
Tafadhali kamilisha sehemu zote zinazohitajika na ubofye "Wasilisha", tutawasiliana nawe baada ya saa 12 kupitia barua pepe. Ikiwa una tatizo lolote, tafadhali acha ujumbe au barua pepe kwa [email protected], tutajibu haraka iwezekanavyo.
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