FQB9N08LTM
MOSFET N-CH 80V 9.3A D2PAK
Nambari ya Sehemu
FQB9N08LTM
Mtengenezaji/Chapa
Mfululizo
QFET®
Hali ya Sehemu
Obsolete
Ufungaji
Tape & Reel (TR)
Teknolojia
MOSFET (Metal Oxide)
Joto la Uendeshaji
-55°C ~ 175°C (TJ)
Aina ya Kuweka
Surface Mount
Kifurushi / Kesi
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Kifurushi cha Kifaa cha Wasambazaji
D²PAK (TO-263AB)
Upotezaji wa Nguvu (Upeo)
3.75W (Ta), 40W (Tc)
Aina ya FET
N-Channel
Kipengele cha FET
-
Mimina hadi Chanzo Voltage (Vdss)
80V
Ya Sasa - Mifereji ya Kuendelea (Id) @ 25�C
9.3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs
210 mOhm @ 4.65A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Kitambulisho
2V @ 250µA
Malipo ya Lango (Qg) (Max) @ Vgs
6.1nC @ 5V
Uwezo wa Kuingiza (Ciss) (Upeo zaidi) @ Vds
280pF @ 25V
Voltage ya Kuendesha (Max Rds On, Min Rds On)
5V, 10V
Vgs (Upeo)
±20V
Omba Nukuu
Tafadhali kamilisha sehemu zote zinazohitajika na ubofye "Wasilisha", tutawasiliana nawe baada ya saa 12 kupitia barua pepe. Ikiwa una tatizo lolote, tafadhali acha ujumbe au barua pepe kwa [email protected], tutajibu haraka iwezekanavyo.
Katika Hisa 33811 PCS
Maelezo ya Mawasiliano
Bidhaa Zinazohusiana
Maneno muhimu ya FQB9N08LTM
FQB9N08LTM Vipengele vya elektroniki
FQB9N08LTM Mauzo
FQB9N08LTM Msambazaji
FQB9N08LTM Msambazaji
FQB9N08LTM Jedwali la data
FQB9N08LTM Picha
FQB9N08LTM Bei
FQB9N08LTM Toa
FQB9N08LTM Bei ya chini
FQB9N08LTM Tafuta
FQB9N08LTM Ununuzi
FQB9N08LTM Chip