ON Semiconductor
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NID9N05ACLT4G
DataSheets

NID9N05ACLT4G

MOSFET N-CH 52V 9A LL DPAK-3
Nambari ya Sehemu
NID9N05ACLT4G
Mtengenezaji/Chapa
ON Semiconductor
Mfululizo
-
Hali ya Sehemu
Active
Ufungaji
Cut Tape (CT)
Teknolojia
MOSFET (Metal Oxide)
Joto la Uendeshaji
-55°C ~ 175°C (TJ)
Aina ya Kuweka
Surface Mount
Kifurushi / Kesi
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Kifurushi cha Kifaa cha Wasambazaji
DPAK
Upotezaji wa Nguvu (Upeo)
1.74W (Ta)
Aina ya FET
N-Channel
Kipengele cha FET
-
Mimina hadi Chanzo Voltage (Vdss)
52V
Ya Sasa - Mifereji ya Kuendelea (Id) @ 25�C
9A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs
90 mOhm @ 9A, 12V
Vgs(th) (Max) @ Kitambulisho
2.5V @ 100µA
Malipo ya Lango (Qg) (Max) @ Vgs
7nC @ 4.5V
Uwezo wa Kuingiza (Ciss) (Upeo zaidi) @ Vds
250pF @ 40V
Voltage ya Kuendesha (Max Rds On, Min Rds On)
3V, 12V
Vgs (Upeo)
±15V
Omba Nukuu
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Maelezo ya Mawasiliano
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NID9N05ACLT4G MOSFET N-CH 52V 9A LL DPAK-3
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