STI33N60M2
MOSFET N-CH 600V 26A I2PAK
Nambari ya Sehemu
STI33N60M2
Mtengenezaji/Chapa
Mfululizo
MDmesh™ II Plus
Hali ya Sehemu
Active
Ufungaji
Tube
Teknolojia
MOSFET (Metal Oxide)
Joto la Uendeshaji
-55°C ~ 150°C (TJ)
Aina ya Kuweka
Through Hole
Kifurushi / Kesi
TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA
Kifurushi cha Kifaa cha Wasambazaji
I2PAK (TO-262)
Upotezaji wa Nguvu (Upeo)
190W (Tc)
Aina ya FET
N-Channel
Kipengele cha FET
-
Mimina hadi Chanzo Voltage (Vdss)
600V
Ya Sasa - Mifereji ya Kuendelea (Id) @ 25�C
26A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs
125 mOhm @ 13A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Kitambulisho
4V @ 250µA
Malipo ya Lango (Qg) (Max) @ Vgs
45.5nC @ 10V
Uwezo wa Kuingiza (Ciss) (Upeo zaidi) @ Vds
1781pF @ 100V
Voltage ya Kuendesha (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Vgs (Upeo)
±25V
Omba Nukuu
Tafadhali kamilisha sehemu zote zinazohitajika na ubofye "Wasilisha", tutawasiliana nawe baada ya saa 12 kupitia barua pepe. Ikiwa una tatizo lolote, tafadhali acha ujumbe au barua pepe kwa [email protected], tutajibu haraka iwezekanavyo.
Katika Hisa 5707 PCS
Maelezo ya Mawasiliano
Bidhaa Zinazohusiana
Maneno muhimu ya STI33N60M2
STI33N60M2 Vipengele vya elektroniki
STI33N60M2 Mauzo
STI33N60M2 Msambazaji
STI33N60M2 Msambazaji
STI33N60M2 Jedwali la data
STI33N60M2 Picha
STI33N60M2 Bei
STI33N60M2 Toa
STI33N60M2 Bei ya chini
STI33N60M2 Tafuta
STI33N60M2 Ununuzi
STI33N60M2 Chip