SIB406EDK-T1-GE3
MOSFET N-CH 20V 6A SC-75-6
Nambari ya Sehemu
SIB406EDK-T1-GE3
Mtengenezaji/Chapa
Mfululizo
TrenchFET®
Hali ya Sehemu
Active
Ufungaji
Digi-Reel®
Teknolojia
MOSFET (Metal Oxide)
Joto la Uendeshaji
-55°C ~ 150°C (TJ)
Aina ya Kuweka
Surface Mount
Kifurushi / Kesi
PowerPAK® SC-75-6L
Kifurushi cha Kifaa cha Wasambazaji
PowerPAK® SC-75-6L Single
Upotezaji wa Nguvu (Upeo)
1.95W (Ta), 10W (Tc)
Aina ya FET
N-Channel
Kipengele cha FET
-
Mimina hadi Chanzo Voltage (Vdss)
20V
Ya Sasa - Mifereji ya Kuendelea (Id) @ 25�C
6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs
46 mOhm @ 3.9A, 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Kitambulisho
1.4V @ 250µA
Malipo ya Lango (Qg) (Max) @ Vgs
12nC @ 10V
Uwezo wa Kuingiza (Ciss) (Upeo zaidi) @ Vds
350pF @ 10V
Voltage ya Kuendesha (Max Rds On, Min Rds On)
2.5V, 4.5V
Vgs (Upeo)
±12V
Omba Nukuu
Tafadhali kamilisha sehemu zote zinazohitajika na ubofye "Wasilisha", tutawasiliana nawe baada ya saa 12 kupitia barua pepe. Ikiwa una tatizo lolote, tafadhali acha ujumbe au barua pepe kwa [email protected], tutajibu haraka iwezekanavyo.
Katika Hisa 18256 PCS
Maelezo ya Mawasiliano
Bidhaa Zinazohusiana
Maneno muhimu ya SIB406EDK-T1-GE3
SIB406EDK-T1-GE3 Vipengele vya elektroniki
SIB406EDK-T1-GE3 Mauzo
SIB406EDK-T1-GE3 Msambazaji
SIB406EDK-T1-GE3 Msambazaji
SIB406EDK-T1-GE3 Jedwali la data
SIB406EDK-T1-GE3 Picha
SIB406EDK-T1-GE3 Bei
SIB406EDK-T1-GE3 Toa
SIB406EDK-T1-GE3 Bei ya chini
SIB406EDK-T1-GE3 Tafuta
SIB406EDK-T1-GE3 Ununuzi
SIB406EDK-T1-GE3 Chip