SIE726DF-T1-GE3
MOSFET N-CH 30V 60A POLARPAK
Nambari ya Sehemu
SIE726DF-T1-GE3
Mtengenezaji/Chapa
Mfululizo
SkyFET®, TrenchFET®
Hali ya Sehemu
Obsolete
Ufungaji
Digi-Reel®
Teknolojia
MOSFET (Metal Oxide)
Joto la Uendeshaji
-55°C ~ 150°C (TJ)
Aina ya Kuweka
Surface Mount
Kifurushi / Kesi
10-PolarPAK® (L)
Kifurushi cha Kifaa cha Wasambazaji
10-PolarPAK® (L)
Upotezaji wa Nguvu (Upeo)
5.2W (Ta), 125W (Tc)
Aina ya FET
N-Channel
Kipengele cha FET
-
Mimina hadi Chanzo Voltage (Vdss)
30V
Ya Sasa - Mifereji ya Kuendelea (Id) @ 25�C
60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs
2.4 mOhm @ 25A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Kitambulisho
3V @ 250µA
Malipo ya Lango (Qg) (Max) @ Vgs
160nC @ 10V
Uwezo wa Kuingiza (Ciss) (Upeo zaidi) @ Vds
7400pF @ 15V
Voltage ya Kuendesha (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V, 10V
Vgs (Upeo)
±20V
Omba Nukuu
Tafadhali kamilisha sehemu zote zinazohitajika na ubofye "Wasilisha", tutawasiliana nawe baada ya saa 12 kupitia barua pepe. Ikiwa una tatizo lolote, tafadhali acha ujumbe au barua pepe kwa [email protected], tutajibu haraka iwezekanavyo.
Katika Hisa 14215 PCS
Maelezo ya Mawasiliano
Bidhaa Zinazohusiana
Maneno muhimu ya SIE726DF-T1-GE3
SIE726DF-T1-GE3 Vipengele vya elektroniki
SIE726DF-T1-GE3 Mauzo
SIE726DF-T1-GE3 Msambazaji
SIE726DF-T1-GE3 Msambazaji
SIE726DF-T1-GE3 Jedwali la data
SIE726DF-T1-GE3 Picha
SIE726DF-T1-GE3 Bei
SIE726DF-T1-GE3 Toa
SIE726DF-T1-GE3 Bei ya chini
SIE726DF-T1-GE3 Tafuta
SIE726DF-T1-GE3 Ununuzi
SIE726DF-T1-GE3 Chip