SQM60030E_GE3
MOSFET N-CH 80V 120A D2PAK
Nambari ya Sehemu
SQM60030E_GE3
Mtengenezaji/Chapa
Mfululizo
Automotive, AEC-Q101, TrenchFET®
Hali ya Sehemu
Active
Ufungaji
Tape & Reel (TR)
Teknolojia
MOSFET (Metal Oxide)
Joto la Uendeshaji
-55°C ~ 175°C (TJ)
Aina ya Kuweka
Surface Mount
Kifurushi / Kesi
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Kifurushi cha Kifaa cha Wasambazaji
D²PAK (TO-263)
Upotezaji wa Nguvu (Upeo)
375W (Tc)
Aina ya FET
N-Channel
Kipengele cha FET
-
Mimina hadi Chanzo Voltage (Vdss)
80V
Ya Sasa - Mifereji ya Kuendelea (Id) @ 25�C
120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs
3.2 mOhm @ 30A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Kitambulisho
3.5V @ 250µA
Malipo ya Lango (Qg) (Max) @ Vgs
165nC @ 10V
Uwezo wa Kuingiza (Ciss) (Upeo zaidi) @ Vds
12000pF @ 25V
Voltage ya Kuendesha (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Vgs (Upeo)
±20V
Omba Nukuu
Tafadhali kamilisha sehemu zote zinazohitajika na ubofye "Wasilisha", tutawasiliana nawe baada ya saa 12 kupitia barua pepe. Ikiwa una tatizo lolote, tafadhali acha ujumbe au barua pepe kwa [email protected], tutajibu haraka iwezekanavyo.
Katika Hisa 39591 PCS
Maelezo ya Mawasiliano
Bidhaa Zinazohusiana
Maneno muhimu ya SQM60030E_GE3
SQM60030E_GE3 Vipengele vya elektroniki
SQM60030E_GE3 Mauzo
SQM60030E_GE3 Msambazaji
SQM60030E_GE3 Msambazaji
SQM60030E_GE3 Jedwali la data
SQM60030E_GE3 Picha
SQM60030E_GE3 Bei
SQM60030E_GE3 Toa
SQM60030E_GE3 Bei ya chini
SQM60030E_GE3 Tafuta
SQM60030E_GE3 Ununuzi
SQM60030E_GE3 Chip