IXFY4N60P3
MOSFET N-CH 600V 4A TO-252
Nambari ya Sehemu
IXFY4N60P3
Mtengenezaji/Chapa
Mfululizo
HiPerFET™, Polar3™
Hali ya Sehemu
Active
Ufungaji
Tube
Teknolojia
MOSFET (Metal Oxide)
Joto la Uendeshaji
-55°C ~ 150°C (TJ)
Aina ya Kuweka
Surface Mount
Kifurushi / Kesi
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Kifurushi cha Kifaa cha Wasambazaji
TO-252
Upotezaji wa Nguvu (Upeo)
114W (Tc)
Aina ya FET
N-Channel
Kipengele cha FET
-
Mimina hadi Chanzo Voltage (Vdss)
600V
Ya Sasa - Mifereji ya Kuendelea (Id) @ 25�C
4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs
2.2 Ohm @ 2A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Kitambulisho
5V @ 250µA
Malipo ya Lango (Qg) (Max) @ Vgs
6.9nC @ 10V
Uwezo wa Kuingiza (Ciss) (Upeo zaidi) @ Vds
365pF @ 25V
Voltage ya Kuendesha (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Vgs (Upeo)
±30V
Omba Nukuu
Tafadhali kamilisha sehemu zote zinazohitajika na ubofye "Wasilisha", tutawasiliana nawe baada ya saa 12 kupitia barua pepe. Ikiwa una tatizo lolote, tafadhali acha ujumbe au barua pepe kwa chen_hx1688@hotmail.com, tutajibu haraka iwezekanavyo.
Katika Hisa 31378 PCS
Maelezo ya Mawasiliano
Bidhaa Zinazohusiana
Maneno muhimu ya IXFY4N60P3
IXFY4N60P3 Vipengele vya elektroniki
IXFY4N60P3 Mauzo
IXFY4N60P3 Msambazaji
IXFY4N60P3 Msambazaji
IXFY4N60P3 Jedwali la data
IXFY4N60P3 Picha
IXFY4N60P3 Bei
IXFY4N60P3 Toa
IXFY4N60P3 Bei ya chini
IXFY4N60P3 Tafuta
IXFY4N60P3 Ununuzi
IXFY4N60P3 Chip